B370-13-F国产替代
参数对比
| 参数项 | DIODES(美台) B370-13-F |
FUXINSEMI(富芯森美) SS510C |
对比结论 |
|---|---|---|---|
| 封装形式 | SMC (DO-214AB) | SMC (DO-214AB) | 完全兼容（封装相同） |
| 最大重复反向峰值电压 VRRM | 70V | 100V | SS510C 电压更高 |
| 最大均方根电压 VRMS | 49V | 70V | SS510C 电压更高 |
| 最大直流阻断电压 VDC | 70V | 100V | SS510C 电压更高 |
| 平均整流电流 IO / I(AV) | 3A | 5A | SS510C 容量更大 |
| 峰值浪涌电流 IFSM | 100A | 120A | SS510C 浪涌能力更强 |
| 正向压降 VF | 0.79V (@3A, 25°C) | 0.85V (@5A) | SS510C 在额定电流下略高，实际差异有限 |
| 反向漏电流 IR | 0.5mA (@25°C) / 20mA (@100°C) | 0.1mA (@25°C) / 5.0mA (@100°C) | SS510C 更低，性能更优 |
| 结电容 CT / CJ | 100pF | 600pF | B370-13-F 更低，SS510C差别可忽略 |
| 热阻 Junction to Ambient RθJA | 数据未提供，RθJT=10°C/W | 35°C/W | 富芯森美为板上测得，建议关注实际应用导热 |
| 工作结温范围 TJ | -55~+125°C | -55~+150°C | SS510C 能满额更宽温度范围 |
| 储存温度范围 TSTG | -55~+150°C | -55~+150°C | 一致 |
| 符合RoHS/无卤素 | 是 | 是 | 一致 |
| 产品图片 |  |
暂无 |
FUXINSEMI(富芯森美)SS510C
FUXINSEMI(富芯森美) SS510C 是一款采用SMC (DO-214AB) 封装的高性能面贴式肖特基整流二极管，设计用于高效率、低电压降、低功耗损耗的电路场景。该器件具备5A的高平均整流电流，耐压高达100V，支持高达120A的浪涌电流，广泛适用于各种电源管理、极性保护、续流二极管等场合。其器件选用金属-硅结构，主体为多数载流子导通，兼顾优良的高频性能和耐受高温回流焊工艺（高温焊接可达260°C/10秒），并完全满足RoHS 2.0及无卤素环保要求，特别适合自动化贴片装配生产。
应用领域
- 低电压、高频率逆变器（Low Voltage, High Frequency Inverters）
- 续流二极管应用（Free Wheeling Diode）
- 极性保护电路（Polarity Protection Circuits）
- 开关电源输出整流（Switching Power Supply Output Rectification）
- DC-DC转换器（二次边整流）
- 大功率电机驱动的续流/保护
产品特点
- 金属-硅结，肖特基势垒结构，反应速度快
- 低功率损耗，高效率，支持高浪涌电流
- 塑封体，符合UL 94V-0阻燃标准
- 适于表面贴装设计，内置机械应力释放结构，理想的自动贴装适应性
- 工作温度范围宽，最大结温可达+150°C
- 高温焊接能力：可承受260°C10秒回流
- RoHS 2.0及无卤素环保，绿色封装
- 极性识别清晰，带有色带
产品优势
通过对比，FUXINSEMI(富芯森美) SS510C 较DIODES B370-13-F具有更高的最大反向耐压（100V vs 70V）、更大的平均整流电流（5A vs 3A）和峰值浪涌能力（120A vs 100A），这意味着其对更高功率场合和苛刻负载自适应性更强。在低于额定工作电流下，正向压降略有提升但仍处于市场主流水平，且反向漏电流表现优异，热稳定性和高温作业能力突出。SS510C 封装/尺寸完全兼容，可无缝替换B370-13-F，并具备严格的环保标准和高温焊接适配性，适合国产化替代及批量自动化生产。
注：以上参数来源于数据手册，实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)。
