诺里塔克发布LumiDia研磨垫仅用水完成SiC晶圆端面研磨

日本诺里塔克（Noritake）于9月2日宣布，开发出用于SiC晶圆等制造工序研磨环节的金刚石磨粒内包型研磨垫“LumiDia”。该产品采用其独有的有机-无机复合技术，将金刚石磨粒内包于研磨垫中，即使使用少量磨粒也能发挥高研磨性能，从而仅用水即可完成SiC晶圆抛光。

应对推进8英寸化的SiC晶圆端面研磨

在电动汽车（EV）普及等背景下，能够处理高电压、大电流的SiC功率半导体正在得到更广泛应用。为了增加单片晶圆取得的芯片数量、提升生产率，SiC晶圆正从6英寸向8英寸的大口径化方向推进。

随着晶圆尺寸增大，晶圆外周部的端面加工精度对于确保良率和可靠性变得愈发重要。若端面表面粗糙度过大，后续工序中出现崩边、开裂及异物附着风险将会升高，进而可能影响器件特性与良率。

SiC属于硬而脆的硬脆材料，且晶圆端面为曲面形状。传统使用的金刚石浆料难以在端面保持，因而与平面部分相比研磨效率下降，稳定的端面研磨一直是课题。

LumiDia通过将金刚石磨粒内包于研磨垫本身，持续作用于待加工表面，实现了此前用金刚石浆料难以达成的SiC晶圆端面研磨。通过抑制端面崩边、开裂及异物附着，其有望对8英寸SiC晶圆的良率提升和稳定供应做出贡献。

仅用水研磨，减少工业废弃物

在一般的SiC晶圆研磨工序中，需要将金刚石磨粒分散在水溶液中制成金刚石浆料，再供给至研磨面。使用后的浆料必须作为工业废弃物处理，同时金刚石磨粒的使用量及稳定采购也是课题。

LumiDia可使研磨垫内部的金刚石磨粒高效作用，因此无需补充新的金刚石浆料，仅用研磨液即可完成加工，从而控制金刚石磨粒用量，并降低因废弃浆料而产生的工业废弃物和处理负担。

此外，与研磨材料供给和废液处理相关的设备及工序也有可能得以简化，有望降低SiC晶圆制造过程中的环境负荷和运行成本。

同时面向陶瓷基板平面研磨应用

诺里塔克计划将LumiDia不仅应用于SiC晶圆端面研磨，还将扩展到陶瓷基板的平面研磨。用于陶瓷基板研磨时，据称除能削减金刚石磨粒使用量外，还可实现研磨垫的长寿命化。

诺里塔克以餐具制造中积累的陶瓷技术为基础，开展磨削/研磨工具、电子浆料、陶瓷部件及制造装置等业务。未来将进一步发挥其独有的有机-无机复合技术与研磨技术，将LumiDia作为面向半导体领域的研磨材料来适应SiC晶圆的大口径化及陶瓷基板的高精度化需求，不断拓展应用范围。