Gigaphoton将展示高亮度Sn-LPP EUV光源用于光化掩模检测新进展

Gigaphoton Inc. 是一家面向先进半导体制造工艺的光源制造商。该公司将在2026年9月8日至11日于美国加州蒙特雷举行的 SPIE Photomask Technology + EUV Lithography Conference（SPIE 光掩模技术与 EUV 光刻会议，简称 PUV）上，以海报形式展示其锡激光等离子体（Sn-LPP）极紫外（EUV）光源技术在光化掩模检测（actinic mask inspection）中的最新进展。

EUV 光刻为掩模制造带来了新的良率控制挑战，例如检测极微小缺陷，以及传统深紫外（DUV）检测工具难以准确分辨的复杂3D形貌和相位缺陷。若采用与 EUV 光刻相同的13.5 nm波长对掩模进行检测，可以更准确地发现并评估这些缺陷对晶圆良率的潜在影响。光化掩模检测能提供这一能力，但对 EUV 光源提出了很高要求：要实现高通量检测，光源必须具有高亮度和高稳定性，同时还要保证可靠运行，并能有效管理等离子体产生的碎片。

针对这一需求，Gigaphoton 开发了一款面向光化 EUV 掩模检测优化的高亮度 Sn-LPP EUV 光源。本次会议的海报展示环节中，公司将公布不同重复频率和亮度水平下的光源性能测试结果，展示该技术满足光化掩模检测及相关计量应用严苛要求的潜力。

Gigaphoton 此前演示的20 kHz系统已完成5,000小时连续运行，亮度为120 W/mm²·sr⁻¹，系统可用性达到99%。在此基础上，公司通过提高重复频率进一步扩展光源性能。最新40 kHz EUV光源在等离子体点处已实现超过240 W/mm²·sr⁻¹的亮度。目前，Gigaphoton 正在40 kHz条件下开展长期连续运行和现场收集镜反射率测量；高重复频率辐照下收集镜反射率变化的最新结果，也将在本次会议公布。公司还将同步介绍60 kHz运行的相关开发进展，以及Sn-LPP EUV光源技术的整体扩展方向。

Gigaphoton 先进光源开发工程师 Mamoru Sato 表示：“光化掩模检测所需的EUV光源不仅要具备高亮度，还必须具备足以支撑持续检测作业的稳定性、可靠性和光学性能。我们的工作重点是提升Sn-LPP技术的重复频率，同时应对光源运行和收集镜性能方面的挑战。此次展示的成果表明，我们在实现下一代EUV掩模检测与计量所需光源性能方面已取得进展。”

海报展示信息

• 时间：2026年9月8日 18:00–19:30（PDT）
• 地点：蒙特雷会议中心 Serra Ballroom 2
• 海报编号：#14273-64
• 题目：High-brightness and compact LPP-EUV light source for inspection systems（用于检测系统的高亮度紧凑型LPP-EUV光源）
• 演讲人：Mamoru Sato（Gigaphoton Inc.，日本）