Kepler推HBM替代方案，拟用28nm成熟制程量产

随着AI热潮令供应趋紧并推高成本，初创公司正探索扩大存储产能的新路径。据TechPowerUp报道，Kepler Computing声称已开发出一种HBM替代方案，基于新的3D堆叠技术和新型材料，其生产围绕成熟制程而非最先进工艺设计。

值得注意的是，现代存储制造通常依赖EUV（极紫外光刻），而Kepler计划使用成熟制程产能以及FeRAM（铁电随机存取存储器）技术来制造其存储产品。OC3D指出，Kepler的铁电方案旨在“接近SRAM（静态随机存取存储器）的每瓦带宽”，同时提供最高可达SRAM和HBM 10倍的容量。

据报道，Kepler的技术可在改造后的GlobalFoundries（格芯）28nm工厂生产，改造预计耗时八个月；与新建先进晶圆厂相比，这可能缩短从技术开发到量产的时间。

Kepler迄今已使用其新技术处理约2,000片晶圆，首批样品预计在2026年晚些时候问世。据TechPowerUp报道，该公司计划于2027年在GlobalFoundries新加坡工厂启动量产，随后于2028年在美国制造。

Kepler表示，其FeRAM的使用可在保持标准HBM容量的同时，显著降低制造成本。OC3D指出，该公司正利用材料科学开发这项技术，并声称已取得使这种新型存储方案成为可能的“根本性突破”。

Kepler瞄准低成本路径，挑战HBM现状

采用较旧制造工艺也可能使产能扩张更快、成本更低。随着生成式AI和大语言模型推动HBM需求激增，三星、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光）等主要存储厂商已承诺投入数十亿美元扩大生产。据Commercial Times报道，Kepler认为新建DRAM或HBM晶圆厂既昂贵又耗时，而改造现有设施可以提供更快、更低成本的存储产能扩充方式。如果该技术被证明可大规模可行，它还可能向目前由成熟存储供应商主导的市场引入一种不同的制造模式。

据TechPowerUp报道，Kepler过去几年还从GlobalFoundries、Intel Capital和AMD Ventures获得了约4.68亿美元融资，Intel（英特尔）和AMD可能成为其未来客户。不过，该报道指出，Kepler尚未证明其量产良率以及大规模技术可行性。