MPS8050S-D-RTK/P国产替代

参数对比

参数项 KEC
MPS8050S-D-RTK/P
FUXINSEMI(富芯森美)
SS8050
对比结论
极间电压
VCBO
40V 40V 相同
极间电压
VCEO
25V 25V 相同
极间电压
VEBO
6V 5V SS8050稍低
最大集电极电流
IC
1.5A 1.5A 相同
集电极耗散功率
PC
350mW(Alumina板条件) 300mW(标准空气条件) SS8050略低
熱阻
R\Theta JA
未标明 417°C/W SS8050数据更明确
工作温度
Tj
150℃ 150℃ 相同
存储温度范围
Tstg
-55 ~ 150℃ -55 ~ 150℃ 相同
漏电流
ICBO
最大100nA(35V) 最大0.1μA(100nA)(40V) 相同
DC放大倍数
hFE
45~300(依电流分档) 120~400(分档:L/H/J)(100mA) SS8050高电流区放大倍数更高
饱和压降
VCE(sat)
典型0.28V,最大0.5V(800mA/80mA) 最大0.5V(800mA/80mA) 相同
转换频率
fT
典型190MHz,最低100MHz(10V/50mA) 最低100MHz(10V/50mA/30MHz) MPS8050S-D-RTK/P略优
封装规格 SOT-23 SOT-23 相同
封装尺寸 详见数据手册(主尺寸2.93×1.30×1.30mm) 详见数据手册(主尺寸2.80×1.20×1.15mm) 基本兼容
引脚排列 1.EMITTER 2.BASE 3.COLLECTOR PinB BASE, PinC COLLECTOR, PinE EMITTER 基本兼容
产品图片 MPS8050S-D-RTK/P   -

FUXINSEMI(富芯森美)SS8050

SS8050为富芯森美推出的NPN型硅功率三极管,采用SOT-23小型表面贴装封装,适用于高电流应用场景。该型号最大集电极电流达1.5A,饱和压降低至0.5V,具有宽放大倍数分档(L/H/J)及较高的电流放大能力,兼容主流封装尺寸和引脚布局。产品可满足多种工业、消费电子电路中开关及线性放大需求,具备较好的电气一致性与批量生产可靠性。其参数针对高效驱动及开关周期性能进行了优化,适合替代同类进口元件。

应用领域

  • 开关电源驱动级
  • 继电器和负载控制电路
  • 电机驱动与接口电路
  • 音频放大模块
  • 消费电子产品内部电源管理
  • LED照明驱动电路
  • 工业自动化信号调理

产品特点

  • 与SS8550互补
  • 最大集电极电流可达1.5A
  • 提供多个电流放大倍数分档,宽放大能区间
  • 封装采用标准SOT-23,适用于高密度贴片装配
  • 饱和压降低至0.5V
  • 转换频率达100MHz,适合高速开关应用
  • 工作温度范围宽(-55℃~150℃),适用于恶劣环境

产品优势

SS8050在与MPS8050S-D-RTK/P的参数对比中显示出一定优势。首先,SS8050在高电流工作时的DC放大倍数更高(最高达400),有利于电流驱动效率和弱信号放大。此外,富芯森美数据手册对产品分档明细和热阻参数做了详细规定,便于设计人员依据具体应用需求进行选型。虽然饱和压降、最大电流等指标基本一致,但SS8050可提供更细致的分档以及批量一致性的规范,易于大规模生产管理。在国际及国产多元应用环境中,SS8050作为MPS8050S-D-RTK/P的国产替代型号,兼容性强,易于直接替换,无需修改PCB,且供应链更加稳定可靠。


注:以上参数来源于数据手册,实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)