美光坚持6F² DRAM路线长鑫存储推进4F²替代方案

据《日经》报道，美光（Micron）不会采用4F² DRAM架构，而是继续坚持6F²设计；与此同时，中国竞争对手长鑫存储（CXMT）正在推进这一替代方案。美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在近期一场技术网络研讨会上表示，经过20多年的评估，4F²目前“不在路线图上”。公司计划延续6F²架构，同时将3D DRAM作为更长期的替代方向进行开发。

DeBoer解释称，DRAM的位密度主要由电容间距（capacitor pitch）决定，而不是仅由单元架构决定。根据Stock Analysis发布的研讨会文字记录，他还提到4F²存在根本性的微缩限制、制造复杂度更高以及成本更高等问题。

平面DRAM路线图延伸至1δ之后

除了保留6F²架构，美光还披露了平面DRAM路线图。据MarketBeat报道，其1γ（1-gamma）节点已进入大规模量产，并将在未来12个月推出的产品中作为基础。下一节点1δ（1-delta）预计于2027年下半年进入量产，目标是将位密度提升至20%中段区间。据Wccftech报道，该节点将支持DDR6、LPDDR6、HBM5以及垂直HBM（vHBM）等下一代存储产品。

根据Stock Analysis发布的研讨会记录，在更远的路线图上，美光正在开发采用晶圆键合（wafer bonding）的1ε（1-epsilon）节点，以提升位密度并支持AI应用。对于后续的1ζ（1-zeta）和1η（1-eta）节点，公司正在探索High-NA EUV、新材料及其他创新，以延续平面DRAM微缩。值得注意的是，美光的路线图将3D DRAM放在1ζ与1η节点之间，但3D DRAM开发与平面DRAM并行推进，是否采用将取决于成本、制造复杂度和器件性能。

下一代DRAM产品与HBM架构

在上述进展基础上，美光正在筹备DDR6和LPDDR6，目标分别是带宽达到DDR5的两倍，以及功耗效率较LPDDR5提升35%；在某些密度下，效率提升幅度会更大。公司还计划推出1TB RDIMM，此前已对512GB DDR5 RDIMM进行送样。

面向AI应用，美光也在推进垂直高带宽存储（vHBM），通过将存储直接堆叠在处理芯片上，显著提高带宽。据MarketBeat报道，公司正在开发vHBM以及标准和定制HBM产品，但散热管理仍是挑战。报道指出，其封装工作包括采用混合键合（hybrid bonding）以实现更紧的互连间距和更高带宽、增加HBM堆栈高度，以及改进冷却技术。