瑞萨RX74M/RX74N量产：600MHz内核，RX系列首搭22nm MRAM
新闻要点
- 瑞萨已将RA系列采用的22nm工艺+MRAM扩展至RX系列。
- 新产品搭载最高600MHz的RXv3e内核，性能达到以往产品的2倍以上。
- RX74M将EtherCAT、支持TSN的Ethernet和CAN-FD集成于单芯片。
瑞萨电子10月22日宣布，作为RX系列首款采用22nm工艺和MRAM的32位微控制器，推出“RX74M”和“RX74N”，并已开始量产。
此前，该公司已在搭载Arm内核的RA系列中推出采用22nm工艺和MRAM的微控制器。此次将相关技术适用范围扩大至搭载瑞萨自有RX CPU内核的RX系列，以满足使用既有RX软件资产的工业设备对高性能化的需求。
两款产品是240MHz现有“RX72M”和“RX72N”的后继产品，搭载最高600MHz运行的RXv3e内核。与以往产品相比，性能达到2倍以上。
RX74M面向AC驱动、工业机器人、PLC（可编程逻辑控制器）等工业自动化（IA）/工厂自动化（FA）设备。RX74N则定位为面向智能电表、功率调节器、HVAC等广泛工业设备的RX系列最上位微控制器。
在RA之后，RX也采用22nm+MRAM
RX74M和RX74N除最高600MHz的RXv3e内核外，还配备1MB MRAM、CPU可无等待访问的256KB TCM（紧耦合内存）以及1.5MB SRAM。
瑞萨自2023年起率先在RA系列中推出将22nm工艺与MRAM结合的微控制器，此后扩展了RA8P1、RA8T2、RA8M2、RA8D2等RA系列产品组合。此次RX74M和RX74N将这一22nm+MRAM产品布局扩展至重视自有RX CPU内核和既有RX软件资产的客户。
TCM直接连接CPU，访问时间不受缓存命中率等因素影响，能够以固定时间访问。因此，在会产生大量中断和分支的工业设备控制中，也可实现抑制抖动的实时处理。
与传统嵌入式闪存不同，MRAM写入数据前无需擦除处理。其可缩短代码和数据的更新时间，有助于提升频繁保存参数和日志的设备的响应性，并缩短更新时的系统停机时间。
将主要工业网络集成于单芯片
面向IA/FA的RX74M将EtherCAT从站控制器、支持TSN的千兆Ethernet交换机以及CAN-FD集成于单芯片。其支持EtherCAT、PROFINET、EtherNet/IP等主要工业网络，可将以往需要多个器件的通信处理集中到单一微控制器上。
除TSN带来的确定性通信外，还支持EtherNet/IP DLR（Device Level Ring）等冗余网络配置。即使网络的一部分发生故障，也可切换至另一路径，从而支持构建连接现场设备与上位系统的IIoT基础。此外，通过将通信与控制集成于单芯片，还可减少元器件数量、基板面积和软件集成负担，旨在简化工业设备设计。
面向CRA和PQC强化安全
两款产品面向欧洲《网络弹性法案》（CRA）以及量子计算机实用化后仍能保持安全性的后量子密码（PQC），强化了基于硬件的安全功能。
RXv3e内核新增“ProtectZone”，可在单芯片内隔离安全区域与非安全区域。其将重要代码和数据与一般应用程序隔离，降低未经授权访问和篡改的风险。
下一代安全IP“RSIP”在传统TSIP基础上扩展了公钥密码功能，并支持认证加密和广泛的哈希算法。其目标是让微控制器单独即可应对包含PQC在内的未来安全需求。
新品还支持从外部Octa Flash执行XiP（eXecute-in-Place）以及在线解密（on-the-fly），可一边解密保存在外部存储器中的加密代码一边执行。
提供低功耗300MHz产品
除最高600MHz的高性能产品外，还提供功耗降低20%以上的300MHz产品，使客户可根据系统所需性能和功耗选择产品。
电源电压范围为1.62V～3.6V，工作结温范围为-40℃～+125℃。封装提供176/224/320引脚LFBGA以及100/144/176引脚LFQFP。
软件开发环境采用RX、RA、RZ系列通用的FSP（Flexible Software Package）。公司还与Codewerk、RT-Labs、IAR、eForce、Zephyr RTOS等合作伙伴合作，提供软件、开发工具和实时操作系统。
瑞萨将把RX74M与自家模拟、功率产品等组合的磁悬浮传送带系统，以及利用RX74N的智能HVAC控制等面向工业网络与电机控制的解决方案作为Winning Combination（成功组合方案）提出。公司表示，将通过运用22nm工艺和MRAM，把RX系列具备的实时控制性能和既有软件资产与工业网络、下一代安全相结合，助力复杂化的工业设备缩短设计周期并提升性能。
