英特尔Fab 62设备搬入，美国先进半导体产能扩张再提速

英特尔（Intel）于10月21日（美国时间）公布其在美国扩大先进半导体研发与制造能力的最新进展：亚利桑那州奥科蒂略（Ocotillo）园区第六座量产晶圆厂Fab 62正在建设并推进设备搬入与安装，计划在2028年底前投产；俄亥俄州Intel Ohio One则完成了首座工厂建筑大型结构桁架的安装。

Fab 62建设与设备搬入全面展开

英特尔在亚利桑那州制造半导体已有约半个世纪。奥科蒂略园区除了量产晶圆厂外，还承担先进封装研发以及半导体组装和测试。Fab 62将成为英特尔在美国扩展先进半导体量产能力的新基地。

Intel Foundry执行副总裁兼首席技术与运营官Naga Chandrasekaran表示，Fab 62的建设以及制造设备的搬入和安装正在全面展开。英特尔认为，要保持半导体技术竞争力，必须在美国国内将研发、工艺技术确立和量产紧密衔接。

美国半导体行业协会（SIA）的数据显示，美国在全球半导体生产中的占比已从1990年的37%降至2022年的10%。英特尔表示，在半导体和算力需求不断扩大的背景下，提升美国国内研发与制造能力的必要性正在增加。

Ohio One完成首个大型结构桁架安装

在俄亥俄州新奥尔巴尼（New Albany）建设的Intel Ohio One，已完成首座工厂建筑所用大型结构桁架的安装。英特尔将此次安装视为Ohio One建设进展的重要里程碑。

Ohio One是英特尔扩大美国先进半导体制造能力的新基地。该公司将根据未来市场需求，推进设施建设和制造能力爬坡。大型结构桁架安装完成时，Intel Foundry和负责建设的Bechtel相关人员聚集现场，确认建设进展。

Intel 18A推进美国境内研发到量产

英特尔将先进工艺节点Intel 18A列为在美国国内从研发走向量产的典型例子。Intel 18A是该公司当前最新的工艺节点，结合了环绕栅极（GAA）晶体管RibbonFET与背面供电技术PowerVia。两项技术在美国国内经过多年研发，并于2025年开始量产。

在俄勒冈州，英特尔除进行先进逻辑技术的研发与制造外，还开发3D互连技术。同时，该公司推动业界首次安装商用高NA EUV光刻设备并将其整合到量产工序中。通过把高NA EUV从研发环境连接到量产，英特尔支持该技术更广泛采用以及半导体工艺持续微缩。

在先进封装方面，英特尔还在开发高密度连接多颗裸片（die）的EMIB-T等技术。公司通过结合先进工艺与封装技术，应对日益复杂的半导体系统。

美国5州布局半导体制造基础

英特尔的美国制造基础横跨亚利桑那、俄亥俄、俄勒冈、新墨西哥和加利福尼亚5州。其中，俄勒冈州负责先进逻辑技术研发与制造，亚利桑那州负责半导体量产以及先进封装研发、组装与测试，新墨西哥州负责先进封装量产。

在加利福尼亚州圣克拉拉，英特尔于2026年开工建设新的光掩模（photomask）制造设施。该公司将包括光掩模在内的工艺开发、晶圆制造、先进封装、组装与测试在美国国内衔接起来。

据英特尔介绍，其在美国49个州与4500多家供应商开展交易，每年国内支出超过290亿美元。除投资半导体制造设施外，公司还推进与供应商、教育机构及当地社区合作的人才培养。

英特尔的目标是在美国国内连接研发、工艺技术、前道工序、先进封装、组装测试和掩模制造，构建能够将先进半导体技术从实验室推向量产、并进一步拓展全球市场的基础。