DB HiTek 于10月26日表示，公司已完成 IATF 16949 认证续期。该认证是汽车行业国际质量管理标准。
公司位于富川（Bucheon）和 Sangwoo 的厂区均通过了续期审核。此次认证覆盖其晶圆代工（foundry）制造业务的所有环节；该业务为客户生产半导体产品。
IATF 16949 由国际汽车工作组（International Automotive Task Force，IATF）制定，是国际汽车行业标准，规定了在汽车零部件供应链中建立并维持一致质量管理体系的要求。汽车半导体需承受严苛工作环境，包括行驶中的振动和温度急剧变化，因此耐用性与安全性对于防止事故发生至关重要。
DB HiTek 还依据 IATF 16949 要求运行自有汽车项目（Automotive Program）。该项目包含资格评估，以验证制造工艺符合标准，并要求质量记录至少保存25年，以支持缺陷分析和纠正措施。
DB HiTek 于2003年成为韩国首家获得 ISO/TS 16949 认证的晶圆代工厂。该认证是 IATF 16949 的前身。公司每三年进行一次续期，至今已保持认证23年。

DB HiTek宣布完成IATF 16949认证续期，富川与Sangwoo厂区均通过审核，覆盖全部晶圆代工制造环节。公司自2003年起保持该汽车质量管理认证已23年。

DB HiTek完成IATF 16949认证续期，巩固汽车半导体代工资格

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美国半导体制造设备巨头Lam Research于10月21日（美国时间）公布2027财年第一季度（2026年7～9月）财报。受AI相关需求拉动，营收达82.1942亿美元，同比增长54.4%，环比增长22.3%，连续5个季度刷新历史最高纪录。
按美国通用会计准则（GAAP），营业利润由上年同期的18.2909亿美元增至32.8373亿美元，净利润由15.6866亿美元增至27.5314亿美元。非GAAP口径下，毛利率环比提升0.4个百分点至52.4%，营业利润率提升1.8个百分点至40.2%，稀释后每股收益为2.20美元。毛利率与营业利润率均创历史新高，营业利润率首次突破40%。
公司表示，AI正在推动半导体需求扩大与器件结构复杂化，技术升级和制造能力投资成为业绩增长的主要驱动力。
分业务来看，先进半导体用成膜、刻蚀设备需求增长，带动半导体制造系统业务营收达57.3亿美元，同比增长62%，环比增长35%，占总营收约70%。按应用划分，晶圆代工/逻辑（Foundry/Logic）占46%，NAND占26%，DRAM占20%，先进封装等占8%；存储合计占46%，营收同比增长约120%。其中NAND占比由上一季度的23%升至26%，营收同比增长约40%。3D NAND向更高层数发展带来刻蚀和成膜工序增加，推高了需求。
包含零部件、服务和升级在内的客户支持部门营收为24.8651亿美元，同比增长40%，连续4个季度创历史新高。
按地区划分，中国占比35%，较上一季度提高9个百分点，为最大市场；韩国占20%，台湾占18%，日本占9%，美国占8%，东南亚占6%，欧洲占4%。不过公司预计，2026年10～12月中国占比将大幅下降，原因是在中国设有工厂的外资企业支出相对坚挺，但中国客户的投资将减少。
公司预计2027财年第二季度（2026年10～12月）营收为86亿美元±4亿美元，中值环比增长4.6%，有望再创新高。首席财务官（CFO）Doug Bettinger表示，如果没有短期供应链制约，营收指引可能更高；首席执行官（CEO）Archer则表示，“行业仍处于多年投资周期的初期阶段”。

Lam Research 2027财年Q1营收82.19亿美元，同比增54.4%，连续5季创新高；AI需求推动半导体设备增长，营业利润率首破40%，预计下季营收86亿美元。

AI需求拉动 Lam Research Q1营收增54%

NVIDIA（英伟达）10月21日在德国柏林举行的GTC Berlin上宣布，为应对AI基础设施需求的快速增长，公司将与供应链上的6家企业共同提升制造能力，强化AI计算系统的供应体系。
此次合作的6家企业分别为：日本揖斐电（Ibiden）、韩国三星电机（Samsung Electro-Mechanics）、台湾欣兴电子（Unimicron Technology）、美国安靠（Amkor Technology）、台湾京元电子（King Yuan Electronics，KYEC）以及台湾矽品精密（Siliconware Precision Industries，SPIL）。合作覆盖半导体封装基板、先进封装、半导体检测和光通信部件四个领域。
NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋表示，AI基础设施需求极其旺盛，产能已成为制约因素，因此有必要在整个供应链上扩大制造能力。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">封装基板产能三年提升至2.5倍</h2>
NVIDIA计划在未来3年内，把面向其产品的半导体封装基板产能提升至目前的2.5倍，并通过与揖斐电、三星电机和欣兴电子的合作来实现。
其中，揖斐电将根据2026年已签署并公布的合同，获得NVIDIA为锁定数十亿美元规模产能而支付的预付款，用于支持其日本大野工厂扩产。该工厂目标将产能提升至当前的3倍，新增产能预计从2028年第一季度开始投产。
三星电机将新加入NVIDIA的基板供应链。该公司将先从韩国现有基地开始供货，同时在世宗市和釜山市推进设备升级和新工厂建设。到2028年，其年度封装基板产能的相当大一部分预计将分配给NVIDIA。
对于台湾欣兴电子，NVIDIA将通过产能锁定合同支持其扩大KF基板制造能力。新增产能将从2027年第二季度开始释放，并预计在2028年中期达到计划产能。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">先进封装与检测能力同步扩张</h2>
在半导体先进封装领域，NVIDIA与安靠将在韩国扩大制造能力。双方计划到2028年底，将用于芯片间连接的中介层（interposer）晶圆产能增加超过300%。结合安靠在韩国建设的新制造基地，双方将支持NVIDIA现有及下一代平台的生产扩张。
在半导体检测领域，NVIDIA预计2027年的检测能力将较2026年翻倍，并将在美国、台湾和新加坡推进设备扩充。
其中，NVIDIA将向京元电子提供11亿美元预付款，用于锁定产能。京元电子将利用这笔资金在美国建设新的检测设施并导入设备，目标于2027年4月开始量产。
此外，公司还将在新加坡扩充检测设备，预计从2027年2月开始量产。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">光通信部件产能到2027年中期提升至15倍</h2>
为应对大规模AI基础设施不断增长的通信需求，NVIDIA还将强化光通信部件的制造能力。
NVIDIA将与台湾矽品精密合作，扩大用于共封装光学（CPO）的光引擎产能。CPO通过将半导体与光通信部件近距离封装，实现高速、大容量数据传输。
双方计划到2027年中期将光引擎产能提升至15倍，并进一步在2028年底前将该产能再翻倍。
NVIDIA表示，通过上述举措，公司将强化从AI半导体制造所需的基板、先进封装、检测工序到光通信部件的整个供应链供应能力。

英伟达在GTC Berlin宣布与揖斐电、三星电机等6家企业合作扩产，覆盖封装基板、先进封装、检测和光通信部件四大领域，计划三年内将封装基板产能提升至2.5倍。

英伟达联合6家企业扩产AI供应链，封装基板产能三年提升至2.5倍

应用材料公司（Applied Materials）正加大在先进芯片封装领域的布局，以把握AI相关半导体技术需求持续增长带来的机会。据路透社报道，这家美国半导体设备制造商计划将对荷兰公司BE Semiconductor Industries（BESI）的持股比例从9%提升至约20%，进一步深化双方面向AI芯片先进封装技术的合作。
自2025年4月收购9%股份以来，应用材料一直是BESI最大股东。公司已签署加速股份购买协议，拟增持BESI股份，该交易尚需通过美国反垄断审查。应用材料表示，不打算将持股比例提高至约20%以上，也不寻求在BESI董事会获得席位。
扩大后的合作将聚焦面向AI半导体的下一代芯片互连与封装技术。路透社指出，应用材料与BESI自2020年起就在混合键合（hybrid bonding）技术方面展开合作。ijiwei称，BESI在全球混合键合设备市场占有约70%的份额。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">BESI混合键合技术势头增强</h2>
混合键合无需传统凸点，可直接连接铜互连与介电层，从而实现芯片间更密集的连接。据Chosun Biz报道，双方联合开发了Kinex，这是一种集成的晶粒到晶圆（die-to-wafer）混合键合系统，结合了应用材料在刻蚀、平坦化、沉积和检测方面的专长，以及BESI在精密晶粒放置与组装方面的技术。
BESI是混合键合设备的主要供应商。ijiwei指出，其旗舰Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC系统对准精度达100纳米，吞吐量最高可达每小时2,000次循环（CPH），凸显该技术在高量产方面的潜力。
相关技术需求正在升温。路透社10月22日报道，BESI第三季度订单同比增长96%，达到3.426亿欧元；2026年前九个月的混合键合设备订单较2025年全年水平增长一倍以上。BESI最新财报还显示，其混合键合客户群已扩大至23家，累计设备需求超过215套。
与此同时，中国设备厂商也在推进混合键合能力。据ijiwei报道，拓荆科技（Piotech）2025年混合键合设备收入为1.36亿元人民币，同比增长41.92%，并获得了晶圆到晶圆（wafer-to-wafer）混合键合系统的重复订单。

应用材料拟将BESI持股从9%提升至约20%，深化AI芯片混合键合与先进封装合作。BESI混合键合设备订单大增，中国厂商拓荆科技也在推进相关技术。

应用材料拟增持BESI至20%，加码AI芯片先进封装

巴西圣保罗/瓜鲁柳斯国际机场一批价值250万雷亚尔（约合47万美元）的显卡货物失窃后，警方通过一则网络广告中的序列号追回了一张被盗的 Nvidia GeForce RTX 5090，并对失踪货物继续展开调查。
这批货物属于总部位于巴拉那州马林加的巴西科技分销商 Oderço。该公司称，两托盘从美国进口的 Zotac 显卡在机场货运站失踪。货物于2026年9月20日抵达，但似乎在次日、清关完成前就从仓储区被移走。
巴西广播机构 Jornal da Band 报道，调查人员在 OLX 在线交易平台发现一张标价3.2万雷亚尔的 Zotac GeForce RTX 5090，广告配图显示的序列号与失踪显卡之一相符。
随后，警方在圣保罗州圣巴巴拉-杜奥埃斯特找到卖家，并于10月21日以涉嫌收受赃物将其逮捕。但据 Diário de Justiça 报道，法院在该男子出示证据后撤销了逮捕。其证据显示，他通过 Mercado Livre 以约26,450雷亚尔购买了这张显卡，并曾要求开具发票。法院认为，现阶段证据不足以认定他知晓该显卡系被盗物品。显卡已被警方扣押。
机场货运流程也在调查中。据报道，监控录像显示，9月21日，两名分包叉车操作员将这批货物从仓库移出；第三名负责检查货物的工人授权其通过航站楼的电子管控。随后，货物被装上卡车驶离机场。
进一步报道称，该作案过程涉及调换货物标签，使这批货物看起来装有价值更低的商品。调查人员尚未确认这三名工人是否均知情并参与盗窃。
该分销商最初称失踪货物为 RTX 5090 显卡，但警方记录的另一说法也提到 Zotac RTX 5070 和 RTX 5080 型号。失踪显卡的确切数量尚未公开确认。
10月22日，Oderço 总裁 Oderço Matos 宣布，已出于保修管理目的注销失踪显卡的序列号，这意味着这些产品在巴西或国际范围内都不再享有保修支持。但这并不意味着显卡已在电子层面被禁用。
GeForce RTX 5090 基于 Nvidia 的 Blackwell 架构，拥有21,760个 CUDA 核心和32 GB GDDR7 显存。其应用不限于游戏，还覆盖渲染、内容制作和本地 AI 处理。
GRU Airport 已确认，失踪事件已报告给有关部门，调查仍由其负责。分销商也已获得有关申请赔偿程序的信息。

巴西圣保罗机场一批价值250万雷亚尔显卡失窃，警方通过OLX广告序列号追回一张RTX 5090并扣押；卖家被捕后法院撤销逮捕，分销商已注销失踪显卡序列号。

巴西机场250万雷亚尔显卡失窃 警方追回RTX 5090

作为HBM大客户，英伟达的两项内存策略变化引发新一轮讨论。据ZDNet报道，三星和SK海力士正准备于2027年第二季度为Rubin Ultra出货8-Hi HBM4，这意味着英伟达将偏离原定的12-Hi HBM4E方案。另据Wccftech报道，英伟达已悄然下调Vera Rubin的HBM4带宽规格：每颗Rubin GPU约降低13%，HGX Rubin NVL8系统最高降低26%，相关调整可追溯至9月。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">8-Hi HBM4有望从2027年中期加速渗透</h2>
据ZDNet报道，8-Hi HBM4最初并未出现在英伟达的规划中，但随着公司在2026年第三季度重新评估Rubin Ultra的内存配置，相关讨论开始升温。该报道称，这款下一代AI加速器原本预计依赖12-Hi HBM4E，如今可能改为采用8-Hi HBM4与HBM4E的混合方案，从而有望缓解12-Hi堆栈因散热挑战和良率较低而带来的供应限制。
ZDNet补充称，尽管三星和SK海力士都已通过英伟达的12-Hi HBM4认证，但其8-Hi产品仍需单独认证。消息人士向ZDNet表示，英伟达预计会在基于Rubin Ultra的NVL机架级系统中同时部署8-Hi HBM4和8-Hi HBM4E，具体取决于机架配置。
TrendForce指出，与早先的12-Hi HBM模组方案相比，8-Hi配置使用的DRAM晶粒（die）更少，可降低每堆栈成本以及GPU整体物料清单（BOM）成本。同时，相同的HBM位输出可支持更多GPU。TrendForce称，在HBM供应持续紧张的背景下，8-Hi方案预计将成为2027年众多GPU和ASIC厂商优先评估的选项。
ZDNet称，12-Hi HBM4在2026年仍是主流配置，而8-Hi产品预计从2027年中期开始采用率快速上升。这一转变还可能蔓延至英伟达之外。Economy Tribune援引Daishin Securities的观点称，Anthropic的自研AI芯片也可能采用8-Hi HBM4，这也提高了三星同时为该项目的晶圆代工与内存供货的可能性。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">Rubin的HBM4门槛下调，或缓解内存供应</h2>
另一方面，英伟达Vera Rubin AI平台经历了一次低调的规格调整，以较低的HBM4内存和第六代NVLink带宽，换取更强的横向扩展（scale-out）网络能力。
Wccftech称，英伟达官方规格的9月1日存档版本显示，Vera Rubin NVL72系统配备20.7 TB HBM4容量和1,580 TB/s带宽；Vera Rubin Superchip为576 GB和44 TB/s；每颗Rubin GPU为288 GB和22 TB/s。
Wccftech补充称，自那以后，英伟达将每颗GPU的HBM4带宽降至19.2 TB/s，并将NVLink 6吞吐量从最初宣传的3.6 TB/s下调至3 TB/s，降幅分别约为13%和17%。此外，据IT Home报道，英伟达将Vera CPU的内存规格从每颗固定1.5 TB LPDDR5X改为“最高1.5 TB”。
Economy Tribune强调，三大内存厂商均已披露HBM4数据：三星和SK海力士公布的HBM4数据传输速率为每引脚11.7 Gbps，其中三星称最高可达13 Gbps；美光则报告超过11 Gbps。报道解释，这大致相当于三星和SK海力士每套HBM4堆栈3.0 TB/s，美光超过2.8 TB/s。
据Economy Tribune报道，由于每颗英伟达Rubin GPU集成八个36 GB HBM4堆栈，要达到最初宣传的22 TB/s带宽，每引脚速率需约为10.7 Gbps；而修订后的19.2 TB/s规格对应约9.4 Gbps。报道补充称，理论上内存厂商披露的性能数据足以满足英伟达最初的目标。
IT Home指出，降低带宽要求可能让更多HBM4产品通过Rubin GPU的认证，从而有望提升整体产量。

三星和SK海力士拟2027年二季度为Rubin Ultra出货8-Hi HBM4，英伟达或偏离12-Hi HBM4E方案；同时Vera Rubin的HBM4带宽规格下调，单GPU约13%。

英伟达HBM4策略调整：Rubin Ultra或采用8-Hi

苹果首款折叠屏手机iPhone Duo正面临质量担忧，此前有报道称其显示屏在铰链附近出现损坏。据ZDNet援引MacRumors报道，开发过程中持续出现的铰链问题促使苹果更换主要和次要供应商。行业消息人士称，苹果可能需要重新设计铰链以解决这些缺陷。
报道称，显示屏损坏似乎集中在铰链附近。路透社补充称，iFixit基于拆解影像、专利和CT扫描进行3D铰链模拟，识别出一个可能原因。分析认为，中央支撑条在折叠时可能未能正确回缩，从而对内屏造成压力。
据TrendForce，折叠手机的水滴铰链（waterdrop hinge）必须平衡两项功能：展开时提供刚性、稳定的支撑，折叠时回缩以为显示屏留出足够间隙、使其顺畅弯折。如果支撑结构未能正确回缩，就会产生局部应力并损坏显示屏。初期的市场反馈与拆解分析显示，这一机械问题是最主要的担忧。
与此同时，MacRumors在10月26日报道称，苹果已承认一个问题影响少量iPhone Duo设备的内屏。该公司未披露开裂原因，也未说明是否计划修复。MacRumors指出，受影响客户可在门店更换设备，但库存有限使部分用户不得不等待。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">铰链供应商挑战与生产限制</h2>
铰链相关困难在开发早期就已出现。据ZDNet报道，美国安费诺（Amphenol）最初是主要铰链供应商，台湾新日兴（Shin Zu Shing）为次要供应商。在安费诺产量远低于预期后，新日兴后来接手。然而，据报道新日兴在生产上也遇到困难，不得不挑选符合苹果质量标准的铰链单元作为“golden samples”。这些困难延误了iPhone Duo的生产。
在此背景下，据NewsPim报道，苹果已要求富士康（Foxconn）及组件供应商将未来12个月iPhone Duo出货目标从970万部上调44%至1400万部。行业消息人士称，这一上调既反映初期需求强于预期，也反映为潜在组装缺陷增加组件备货。报道还指出，富士康9月最终组装良率约为60%，而铰链相关缺陷可能进一步增加更换用OLED面板的需求。
TrendForce指出，早期屏幕故障报告可能削弱消费者对苹果此次高关注度发布的信心，尤其是首次购买折叠屏手机的用户。不过，长期影响将在很大程度上取决于问题波及范围，以及苹果多快确定根本原因并修复或更换受影响设备。
另外，另一潜在供应限制是T-glass，这是一种用于印刷电路板（PCBs）覆铜板（CCLs）的高端玻璃纤维纱。据ZDNet报道，日本日东纺（Nittobo）在T-glass生产上近乎垄断，并优先向NVIDIA等公司的AI芯片供货，这可能给苹果供应链增加压力。

苹果首款折叠屏iPhone Duo曝铰链及内屏损坏问题，苹果更换铰链供应商并或需重新设计，但出货目标仍从970万部上调44%至1400万部。

苹果iPhone Duo折叠屏曝铰链缺陷，出货目标仍上调至1400万部

随着AI加速器尺寸不断增大，先进封装产能承受压力，台积电CoWoS供应持续紧张。据《工商时报》援引供应链消息，这家晶圆代工巨头正考虑将相关报价上调最多20%，部分封装交期已经拉长。
先进封装需求正从AI GPU扩展至服务器CPU和定制ASIC，未交付订单积压进一步加剧。在此背景下，《工商时报》称，晶圆代工厂与外包半导体封测（OSAT）供应商正考虑启动新一轮CoWoS涨价，幅度在10%至20%。
AI芯片测试时间延长正成为另一瓶颈，进一步挤压封装与测试产能。《工商时报》指出，测试周期拉长令封测产能更加吃紧。韩国《首尔经济日报》援引野村证券报告称，英伟达Blackwell的最终测试耗时约为Hopper的4倍，而Rubin可能达到7倍。
产能紧张也传导至设备供应链。据《工商时报》，设备交期已由3至6个月延长至6至8个月，客户更优先确保交付，而非价格谈判。
即便是台积电，在设备供应紧张下也在调整采购策略。该公司通常会在采购中争取降价或免费增加功能；但据《工商时报》报道，台积电今年按现有价格下单设备，未寻求折扣或升级。
值得注意的是，台积电寻求涨价的不仅是CoWoS。据《自由时报》，该公司已敲定自2027年1月起上调晶圆出厂价格3%至6%，具体幅度取决于制程节点，其中2nm、3nm等先进制程涨幅最大。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">台积电CoWoS扩产受关注</h2>
在CoWoS需求高涨之际，台积电持续扩大先进封装产能。《工商时报》援引分析师估计，2026年月产能将超过13万片晶圆，2027年目标为20万片。
高盛则预计，台积电CoWoS产能2026年将达到127.5万片，约合每月10.6万片；2027年将同比增长114%至273万片（每月22.75万片）；2028年再增长27%至348万片，相当于每月近29万片。
除扩产外，台积电还在推动先进封装边界，以容纳尺寸越来越大的AI芯片。在最新财报电话会上，董事长兼CEO魏哲家强调，已量产的5倍光罩尺寸封装良率强劲，并确认正在开发9倍和14倍方案。公司还在推进CoPoS，以更低成本支持更大封装；《工商时报》提到，14倍封装的时间表为2028年。

AI芯片需求推升先进封装产能紧张，台积电CoWoS供应吃紧，供应链称报价或上调10%-20%，交期拉长；公司持续扩产并推进更大尺寸封装。

台积电CoWoS供应持续紧张 先进封装报价传涨10%-20%

Micro LED光互连在2026年持续升温。近期两项进展显示，这一新兴领域正受到更多关注：美国AR眼镜厂商Vuzix在OCP全球峰会上发布基于波导技术的光互连评估平台；中国Micro LED光互连芯片开发商星火辰光科技（Xinghuo Chenguang Technology）完成首轮融资，三安光电作为跟投方参与。
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加州圣何塞举行。会上，美国智能眼镜与光波导开发商Vuzix展示了Vuzix Causeway光互连评估平台，面向AI数据中心、半导体和光子学应用。
该平台将Vuzix专有衍射波导技术引入光互连，可在紧凑的平面基板上实现数千条并行光路的布设。该方法有望为共封装光学（CPO）、近封装光学（NPO）和AI计算提供高密度光连接方案。
当前评估平台在约30mm光路长度上支持19,200条并行光路。在完成光源、探测器和系统集成后，该技术预计可在通信应用中支持多太比特级总带宽。
其波导架构还可针对不同光源波长和照明配置进行定制，兼容Micro LED和VCSEL光源。
Vuzix目前向合格行业合作伙伴提供评估单元，供工程师测量插入损耗、串扰、通道密度和耦合对准等关键参数。该公司已于8月向选定客户交付首批Causeway波导桥样品。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">三安光电参投星火辰光首轮融资</h2>
10月14日，总部位于北京的星火辰光科技宣布完成首轮融资，由红杉中国领投，三安光电作为跟投方参与。云岫资本（Yunxiu Capital）担任后续融资轮次的独家财务顾问。融资金额未披露。
星火辰光专注于半导体芯片与光电互连技术，开发基于Micro LED的光互连芯片及相关解决方案。其目标应用包括AI和高性能计算系统中芯片之间、计算与存储之间的高速低功耗数据交换。该公司也是国内少数具备外延、芯片开发和系统集成全流程自主研发能力的团队之一。
此前，该公司已披露技术开发进展。9月28日，星火辰光、元旭光电（Yuanxu Optoelectronics）与清华大学宣布在Micro LED光互连芯片研发方面取得里程碑进展。
清华大学与星火辰光联合测试显示，一款Micro LED芯片样品在500 A/cm²电流密度下实现3.5 GHz的-3 dB带宽，展现出3 GHz级别的高速响应。相关结果为后续驱动电路、接收器和光耦合系统的匹配与设计提供了实测数据支撑。
下一阶段，三方将聚焦器件一致性、阵列集成和封装互连，同时开展链路级测试以验证通信性能。目标是推动该技术从芯片级开发走向可应用产品。

2026年OCP峰会上，Vuzix发布基于波导的Causeway光互连评估平台，支持19,200条并行光路；同期星火辰光完成首轮融资，三安光电跟投，推进Micro LED光互连芯片研发。

Micro LED光互连提速：Vuzix发布平台，星火辰光获投

斗山将扩建其韩国金堤（Gimje）工厂，以提升用于人工智能（AI）数据中心光模块的铜箔基板（CCL）产能。
斗山27日表示，已与全北特别自治道（Jeonbuk State）和金堤市签署投资协议，建设光模块用CCL专用生产线。
该协议明确了金堤工厂扩建部分在斗山9月公布的约9700亿韩元投资计划中的具体规模。斗山将在2028年前投资3992亿韩元，在金堤市Jiphyeonseon一般产业园区内其软性铜箔基板（FCCL）工厂旁，建设总面积约3.3万平方米的光模块用CCL生产设施，并招聘约200名新员工。新生产线计划于2028年下半年开始分阶段投产。
新设施建成后，金堤工厂将同时生产FCCL和光模块用CCL，从而充分利用现有工厂的运营经验、熟练人员和基础设施。
此前，斗山于2022年与金堤市签署首份投资协议，并于2024年9月在Jiphyeonseon一般产业园区建成FCCL工厂。FCCL是一种轻薄且可柔性弯折的铜箔基板，是5G设备、智能手机等先进电子产品所用软性印刷电路板（FPCB）的关键材料。
此次扩建旨在满足AI数据中心建设带动下不断增长的光模块用CCL需求。斗山公司（Doosan Corp.）的韩国国内生产线利用率已超过100%。通过此次扩建，公司计划确保稳定大批量供应的能力。
光模块将服务器与网络设备之间的电信号转换为光信号进行发送和接收。CCL是印刷电路板（PCB）的关键材料，而光模块用CCL必须最大限度降低超高速信号损耗，因此技术要求较高。斗山通过供应适配800G（800 Gbps）及更高速光模块精细电路实现的高端CCL，已成为主要光模块制造商的重要合作伙伴。
斗山电子事业群（Electronics BG）负责人金仁旭（Kim In-uk）表示：“随着AI数据中心扩张，光模块用CCL需求正在快速增长，此次扩建是基于主要客户的中长期需求作出的决定。”他还表示：“我们将继续与金堤市合作，顺利建成工厂，并把金堤工厂打造为光模块用CCL的核心生产基地，以及时供应客户所需数量。”

斗山与全北特别自治道及金堤市签署投资协议，将在2028年前投资3992亿韩元扩建金堤工厂，建设光模块用CCL专用生产线，新增约200名员工，以满足AI数据中心带动的需求。

斗山扩建韩国金堤工厂，提升AI数据中心光模块用CCL产能

<h1 style="font-size:22px;font-weight:bold;color:#333;margin:24px 0 12px;line-height:1.4">全球首款安培级垂直氧化镓MOSFET研制成功</h1>
氧化镓是第四代半导体材料的代表性材料，凭借超宽禁带、高击穿场强和低导通损耗等特性，在高压、高效功率器件领域受到关注。不过，p型掺杂难题长期制约其在高功率场景中的应用与商业化，垂直氧化镓MOSFET也普遍受限于电流处理能力、击穿电压和漏电流等指标。
总部位于上海的 Jiachi Power Technology 近日在这一领域取得突破。该公司位于上海第四代半导体产业集群，已完成垂直氧化镓MOSFET芯片首阶段晶圆制造与验证。
通过器件结构创新和自有工艺开发，团队研制出据称全球首款增强型垂直氧化镓MOSFET，其导通电流超过1 A，击穿电压超过900 V；基于公开数据，该器件在多项关键性能指标上创下新纪录。
稳定、可控的p型掺杂一直是面向高功率应用的氧化镓MOSFET所面临的全球性难题。因此，此前公开的学术文献和产业报告均未记录导通电流超过1 A的垂直氧化镓MOSFET，这限制了其商业化进展。
为应对这一挑战，Jiachi 从器件架构和制造工艺两方面推进。团队开发了自主MOSFET元胞与终端结构，精确控制器件内部几何结构和电场分布，以提升稳定性和击穿性能。
此外，公司还开发了用于MOSFET沟道的自对准离子注入工艺，解决了精确形成沟道和均匀控制掺杂等难题。相关工作建立了面向高功率氧化镓器件的专用工艺流程，并完成了首轮完整制造和电学表征。
测试结果显示，器件阈值电压为3.9 V，可实现稳定的增强型工作；导通电流达到1.2 A，比导通电阻为33 mΩ·cm²。
根据公司对全球公开研究和产业成果的梳理，这是首个被报道的、导通电流超过1 A的垂直氧化镓MOSFET。
该器件面向750 V工作等级设计，实测击穿电压超过900 V，漏电流低于3 μA。其漏电表现接近成熟的商用硅和碳化硅功率器件，缓解了氧化镓技术的一项关键限制。
自主自对准离子注入工艺还为制造安培级及更高电流的氧化镓MOSFET奠定基础，有助于填补高功率器件工艺开发中的空白。
技术团队表示，上述结果验证了其原创器件架构和自有离子注入方法的可行性，标志着氧化镓功率器件从实验室验证迈向商业工程的重要一步。
展望未来，公司计划进一步优化器件结构、工艺参数和外延材料集成，以提升可靠性、一致性和整体性能。同时，公司还将推进芯片开发、向客户交付评估样品，以及建立可量产的工艺。

上海Jiachi Power Technology研制出全球首款增强型垂直氧化镓MOSFET，导通电流1.2A、击穿电压超900V，突破p型掺杂与电流能力限制，推动氧化镓功率器件迈向商业化。