电子元器件行业资讯 - 原厂动态 - 圣禾堂在线 - 第31页

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BCP53-16T1G国产替代
本文将安森美原装BCP53-16T1G与国产长电BCP53-16的各项核心参数做了全面比对，绝大多数参数表现一致，仅少数指标有微小差异，整体兼容性强，可作为国产替代的选型参考。
2026-08-24 08:41:48
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国产替代
CD4053BM96国产替代
本文对比了德州仪器CD4053BM96与国产华冠CD4053BM/TR的各项核心参数，二者功能等效，国产型号在导通电阻、低功耗表现上更具优势，可满足多数常规场景的替代需求。
2026-08-24 08:22:45
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国产替代
泛林集团与PSK就斜面蚀刻机专利爆发纠纷，韩国专利诉讼持续升温
泛林集团与PSK因斜面蚀刻机专利发生纠纷，首尔中央地方法院已举行第五次听证会，韩国半导体设备专利诉讼持续增加。
2026-08-21 11:39:23
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行业资讯
Marvell、AMD传加入谷歌新一代TPU竞局，博通与联发科承压
Marvell与AMD据传加入谷歌下一代TPU供应竞局，可能对博通和联发科形成压力，定制AI芯片竞争持续升温。
2026-08-21 10:59:23
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行业资讯
传英特尔2027年部分Razor Lake芯片或采台积电2纳米N2X，取决于18A-P表现
据工商时报报道，英特尔2027年推出的Razor Lake处理器部分芯片或采用台积电2纳米N2X制程，最终是否扩大外包取决于英特尔18A-P在性能、良率与量产进度上的表现，反映两家公司在先进制程领域的竞争加剧。
2026-08-21 10:30:23
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行业资讯
SK海力士发布CPO路线图，瞄准HBM之外的AI基础设施新机遇
SK海力士在《自然·电子学》发布共封装光学（CPO）路线图，联合全球研究者布局HBM之外的AI基础设施互连市场，推动高速低功耗光互连技术发展。
2026-08-21 09:44:23
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行业资讯
三星9月动工6万亿韩元温阳HBM工厂，P5拟推进三厂化转型加速扩产
三星电子计划9月动工忠清南道温阳园区HBM新工厂，投资6万亿韩元，审批提前约一个月；平泽P5产线同步评估三厂化转型，加速半导体产能扩张。
2026-08-21 09:14:23
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行业资讯
LD1117S33TR国产替代
本文针对ST意法半导体LD1117S33TR的国产替代方案展开全维度参数对比，友台半导体的AMS1117-3.3多项核心参数持平甚至更优，售价远低于进口型号，是高性价比的替代选型参考。
2026-08-21 08:43:51
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行业资讯
芯片封装专家警示：热成AI最大瓶颈，AI驱动设计、CPO与STCO或成破局之道
芯片封装专家警示，热已成为AI基础设施最大瓶颈。AI驱动设计、共封装光学CPO与系统技术协同优化STCO被寄予厚望，有望从芯片布局、互连和系统层面缓解散热压力，为AI算力扩张提供新路径。
2026-08-21 08:28:23
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行业资讯
BAS16GWJ国产替代
本次对比安世半导体BAS16GWJ与国产品牌MDD的1N4148W的各项电气参数、封装规格、售价等指标，验证二者兼容性，为BAS16GWJ的国产替代选型提供详实参考。
2026-08-21 08:13:49
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