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三星SK海力士拟2028年将High-NA EUV用于DRAM
ASML推动High-NA EUV发展，三星、SK海力士计划2028年前后用于DRAM量产，提升HBM竞争力；美光招聘相关工程师，布局下一代DRAM。
2026-09-10 09:41:08
行业资讯
长鑫存储研发团队一年扩员超60%，规模达SK海力士78%
长鑫存储研发人员一年内增至7491人，同比增60.9%，规模约为SK海力士的78%；人均薪酬上涨34%，全球DRAM份额升至9.5%居第四。
2026-09-10 09:11:56
行业资讯
铠侠否认与SK海力士联合生产，NAND涨价下优先稳价
铠侠CEO否认与SK海力士洽谈联合生产，称深化合作面临反垄断障碍，闪迪与铠侠现有协议也限制第三方共产。铠侠优先稳定NAND价格，企业级SSD价格大涨，并接近以长期协议覆盖50%出货量。
2026-09-10 08:42:54
行业资讯
新锐MOSFET推出适配储能与逆变电源的系列应用方案
针对储能行业快速发展下功率半导体器件的更高要求，新锐MOSFET推出覆盖低压大电流、650V高压平台的系列产品，适配BMS充放电保护、逆变变换场景，多封装可选，可提升整机运行效率与安全性。
2026-09-10 08:40:02
品牌动态
三星泰勒2纳米产能预订一空，特斯拉博通Arm下单
三星首座泰勒晶圆厂尚未投产，2nm产能已被预订一空，客户包括特斯拉AI5/AI6芯片、博通通信芯片及Arm AI芯片。工厂最快9月底试运行，2027年量产，初期月产能5万片。泰勒二号厂筹备加快，计划2030年量产。
2026-09-10 08:27:52
行业资讯
新加坡国立大学开发原子级非晶碳绝缘薄膜，可突破芯片互连瓶颈
新加坡国立大学团队开发出原子级厚度的非晶碳绝缘薄膜，厚度仅0.8纳米时仍维持低介电常数1.35，并兼具绝缘与阻挡铜离子迁移功能，有望解决芯片互连瓶颈。相关成果已发表于《自然·电子学》。
2026-09-09 19:13:47
行业资讯
半导体制造瓶颈催生AI分析需求，助力良率提升
生成式AI热潮持续三年，半导体行业瓶颈转向制造产能。晶圆厂和设备商利用数据分析与AI挖掘产线潜力，提升良率与吞吐量。Spotfire通过AI辅助分析放大工程师能力，案例显示可缩短验证周期，AI并非取代人类，而是加速排查过程。
2026-09-09 19:01:41
行业资讯
三星与ASML扩大高NA EUV合作，2028年首次用于DRAM量产
三星电子与ASML扩大高NA EUV合作，计划最晚2028年首次将其用于DRAM量产，并加入12英寸光掩膜行业倡议。双方将推进先进存储与逻辑芯片的微缩和制造效率提升，适应AI时代需求。
2026-09-09 18:46:37
行业资讯
Intel与ASML发布高NA EUV量产进展：晶圆破百万片并推拼接技术
SPIE 2026前夕，Intel Foundry与ASML宣布高NA EUV累计处理晶圆超100万片，套刻精度与吞吐量达预期。双方推出基于6英寸掩膜的拼接技术，支持大型芯片量产，并规划未来向6×12英寸掩膜过渡。
2026-09-09 18:14:30
行业资讯
台积电与阿斯麦启动高NA EUV 12英寸掩模版联合开发
9月8日，台积电与ASML宣布启动12英寸掩模版联合开发，以扩大高NA EUV曝光图案面积，消除现行6英寸掩模版需要拼接的制约；计划2031年建成试产线，2033年达到量产导入条件。台积电预计2030年起量产导入高NA EUV。
2026-09-09 17:43:27
行业资讯

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