DMN30H4D0L-13国产替代
参数对比
| 参数项 | DIODES(美台) DMN30H4D0L-13 |
Siliup(矽普) SP1N30T1 |
对比结论 |
|---|---|---|---|
| 栅极-漏极击穿电压 V(BR)DSS | 300V | 300V | 一致 |
| 漏极连续电流 ID | 0.25A (TA=25°C) 0.2A (TA=70°C) |
1A (TC=25°C) | 替代型号电流能力更强 |
| 导通电阻 RDS(on) | 4Ω @ VGS=10V 4Ω @ VGS=4.5V Max 6Ω @ VGS=2.7V |
5Ω (典型, VGS=10V, ID=0.5A) 最大6.3Ω |
性能相近 |
| 栅极阈值电压 VGS(th) | 1 – 3V (典型值未列出) |
1.1 – 2.1V (典型值1.6V) |
替代型号阈值范围更窄、控制一致性更好 |
| 漏电流 IDSS | Max 1μA (@240V, VGS=0) | Max 1μA (@240V, VGS=0) | 一致 |
| 栅极漏电流 IGSS | Max ±100nA | Max ±100nA | 一致 |
| 总门极电荷 Qg | 典型 7.6nC | 典型 2nC | 替代型号驱动更轻松、开关更快 |
| 输入电容 Ciss | 187.3pF | 59pF | 替代型号输入电容更低 |
| 导通延迟时间 tD(on) | 4.9ns | 3.4ns | 替代型号响应更快 |
| 上升/下降时间 tr/tf | 4.7/17.5ns | 3/64ns | 替代型号上升时间更快、但下降时间稍长 |
| 封装 | SOT-23 | SOT-23-3L | 兼容 |
| 热阻–结到环境 RθJA | 255~377°C/W | 347°C/W | 略有差异，实际应用基本等价 |
| 最大功耗 PD | 0.31~0.47W | 0.36W | 基本相当 |
| 工作结温范围 | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 一致 |
| 最大脉冲电流 IDM | 2A | 4A | 替代型号更强 |
| 二极管导通压降 VSD | 0.7~1.2V | Max 1.2V | 一致 |
| 二极管连续电流 IS | 0.8A | 0.1A | 原型号更强，需重点关注 |
| 产品图片 |  |
Siliup(矽普)SP1N30T1
SP1N30T1是合肥矽普半导体推出的高压N沟道MOSFET，额定漏极-源极电压高达300V，适用于高效率、高频率的电源转换与同步整流场景。该器件采用SOT-23-3L标准小型封装，具有低栅极电荷和低输入电容特性，有助于实现快速切换和高效能系统设计。此外，SP1N30T1可承受高达4A的最大脉冲电流，并通过100%单脉冲雪崩能量测试，可靠性出色，特别适合要求开关速度和高耐压的各种直流/直流转换、同步整流及功率管理应用。
应用领域
- DC-DC变换器
- 高频开关模式电源（SMPS）
- 服务器及通信系统中的同步整流
- 电源管理功能模块及设备
- 需高压、大电流开关的工业自动化系统
产品特点
- 开关速度快
- 低栅极电荷与低导通电阻
- 通过100%单脉冲雪崩能量测试
- 低输入电容
- SOT-23小型表贴封装
- 最大电压达300V，栅极-源极电压±20V
产品优势
通过对比，Siliup(矽普)SP1N30T1相较于DMN30H4D0L-13具有更高的漏极连续电流能力（1A vs. 0.25A）及更大的最大脉冲电流（4A vs. 2A），适合承载更大功率负载及更苛刻的开关场景。其典型门极电荷、更低的输入电容及更快的开关延迟，使其在高频开关和低损耗系统中表现更优，有助于提升系统效率。此外，栅极阈值电压区间更窄，有利于批量应用时的一致性和可靠性。但需要注意，其二极管连续电流能力低于原型号，如设计涉及体二极管并联回路时需酌情考虑。不过整体而言，SP1N30T1可作为高性价比、高可靠性的国产替代。
注：以上参数来源于数据手册，实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)。
