磷化铟市场迎变局：住友化学量产外延片，天源环保收购入局

磷化铟（InP）是光通信领域的关键材料。近期，其市场接连出现两大动向：日本化工巨头住友化学宣布启动4英寸InP外延片的商业量产，目标到2030年代中期实现约100亿日元销售额；中国环境服务企业武汉天源环保股份有限公司（Wuhan Tianyuan）则以750万元人民币收购中讯半导体（江苏）有限公司60%股权，进入InP衬底市场，并计划追加6700万元人民币配套投资。

住友化学启动4英寸InP外延片量产，目标100亿日元销售额

8月31日，住友化学宣布，已在其位于茨城县日立市的茨城工厂（Ibaraki Works）建立4英寸InP外延片量产体系，并正式启动商业销售。作为日本少数能够稳定量产InP外延片的纯代工企业之一，公司此次扩充产能，以应对人工智能（AI）数据中心带来的光电融合（Optoelectronic Convergence）趋势。

凭借超过25年的砷化镓（GaAs）与氮化镓（GaN）外延片量产经验，住友化学将自有的组分控制、薄膜堆叠和晶体生长工艺控制技术导入InP外延片生产，由此实现了晶体结构高度均匀、薄膜厚度一致，并具备高量产重现性。

住友化学计划将InP外延片并入现有化合物半导体产品组合，该组合已涵盖GaN衬底、GaN外延片和GaAs外延片。公司目标是在2030年代中期实现约100亿日元销售额。

武汉天源750万元收购中讯半导体60%股权，进入InP衬底市场

8月下旬，武汉天源宣布已完成对中讯半导体（江苏）有限公司（Zhongxun Semiconductor (Jiangsu) Co., Ltd.）60%股权的收购，正式进入InP衬底市场。本次交易对价为750万元人民币；武汉天源计划再投入6700万元人民币，用于设备采购、设施建设和营运资金，合计拟投资约7450万元人民币。

中讯半导体专注于包括InP在内的化合物半导体衬底的研发、生产和销售，目前拥有29项有效专利，已具备2至4英寸InP单晶衬底的试生产能力，单晶生长工艺良率约30%。该公司正在推进4英寸产品的商业化放量，同时开展6英寸衬底技术的研发。样品出货已完成，并已从多家头部半导体客户处获得参数验证。截至2026年上半年末，中讯半导体尚未产生商业营收。

武汉天源成立于2009年，核心业务为垃圾渗滤液处理。去年5月，公司品牌由“天源环保”更名为“天源集团”，并确立“环保+绿色能源”双核战略，同时扩展至人工智能（AI）基础设施与数智化应用领域。截至目前，武汉天源已获得1.5亿元算力中心建设订单，并拓展至算力与电网协同、固态变压器（Solid-State Transformer, SST）供电系统、一体化算力舱等业务。