半导体设备国产化提速：中微公司发布刻蚀沉积新品

中国半导体设备自主化的脚步正在加快。据《科创板日报》报道，第十四届中国半导体设备、材料与核心零部件展览会（CSEAC 2026）于近日开幕，集结了半导体产业链上多家龙头企业。作为国内领先的刻蚀设备制造商，中微公司（AMEC）在展会同期举行新品发布会，推出多款自主研发的高端刻蚀与薄膜沉积设备。

刻蚀方面，中微发布了Primo XD-RIE™系统，面向先进3D存储制造，支持70:1至90:1的超高深宽比。该设备采用甚高频射频优化刻蚀选择比，并通过高流导架构拓宽工艺窗口，从而满足先进存储器件持续演进的要求。

薄膜沉积方面，中微一口气推出四款面向先进3D存储与逻辑芯片关键工艺的新设备。其Performo QuaStar® PECVD（等离子体增强化学气相沉积）平台的首款产品Performo QuaStar® ON，专攻3D NAND生产中的氧化硅/氮化硅叠层沉积，单机最多可同时处理16片晶圆。

另一款新品Prefima Unicore™ AM，是中微自主研发的12英寸钼原子层沉积系统，用于超高堆叠3D结构中的字线填充。随着先进存储芯片向更高层数演进，该设备有望成为关键工艺装备。

智东西（Zhidx）指出，此次发布距中微今年3月在SEMICON China推出四款新品仅过去六个月，高端装备产品线进一步扩容。新增产品拓宽了中微在先进逻辑、功率半导体、薄膜沉积与精密刻蚀等领域的覆盖范围，提升了其面向更广泛工艺和应用场景提供设备解决方案的能力。

在CSEAC 2026上，中微并非唯一展示新设备的厂商。据《科创板日报》，北方华创（Naura）及薄膜沉积专业厂商拓荆科技（Piotech）、微导纳米（Leadmicro）也是重要参展方。拓荆科技展示了沉积及3D IC设备，其PECVD设备的装机量与工艺覆盖范围均居中国市场首位；微导纳米则展示了面向逻辑、先进封装、DRAM和3D NAND的薄膜解决方案，其CVD（化学气相沉积）设备已进入量产。

Wellrun Microelectronics力推CD-SEM国产化：半导体设备国产化率仅高于光刻机

除刻蚀与沉积外，中国的设备国产化进程也延伸到半导体计量与检测环节。据快科技（Mydrivers）报道，Wellrun Microelectronics已开发出12英寸CD-SEM（关键尺寸扫描电子显微镜，Critical Dimension Scanning Electron Microscope）系统，可用于22nm量产和14nm研发。CD-SEM常被称作“迷你光刻机”，其国产化率在国内半导体设备类别中排名倒数第二，仅高于光刻机。

报道称，Wellrun的多种计量与检测设备已在国内成熟制程产线上部署并稳定运行。在本次CSEAC上，该公司将展出14nm与22nm CD-SEM系统、掩模版关键尺寸计量设备，以及基于人工智能（AI）的电子束计量平台。此外，Wellrun已与国内主要IDM（垂直整合制造）企业华润微电子（CR Micro）签署战略合作协议，共同推进半导体计量与检测设备的国产替代。