Microchip推出20A耐辐射GaN负载点转换器

钱德勒，亚利桑那州，2026年10月14日 —— Microchip Technology（纳斯达克：MCHP）宣布推出耐辐射负载点（Point-of-Load，POL）转换器 POL-05-20S-T，面向航天处理应用的供电需求。新器件采用氮化镓（GaN）功率器件，输出电流最高 20A，并具备较高的效率与功率密度。

该转换器采用 25g 表贴封装，尺寸为 1.51 英寸 × 1.51 英寸 × 0.45 英寸。在这一占位面积下提供 20A 电流，可帮助工程师应对星上处理系统性能提升后带来的尺寸、功率与能量限制。GaN 设计旨在为要求严苛的航天供电应用同时提供高效率、高功率密度和持续电流能力。

Microchip 高可靠性及射频业务部高级总监 Ronan Dillon 表示：“航天设计人员正在集成性能越来越强的数字处理能力，由此产生了对紧凑型供电方案的需求——既要快速响应，又要在严苛环境中可靠工作。POL-05-20S-T 以高电流 GaN 方案扩展了我们的航天电源产品组合，帮助客户实现高功率密度、设计灵活性和系统级可靠性。”

POL-05-20S-T 面向高电流、快速瞬态应用，例如 FPGA、微控制器、ASIC 及其他处理密集型数字负载的核心电压轨。器件将同步降压拓扑与电流模式控制相结合，以支持快速电流瞬态和稳定工作。其输入电压范围为 4.75V 至 13.2V，输出电压可在 0.7V 至 5V 之间调节，可适应多种电压轨和系统架构。

针对强辐射环境，POL-05-20S-T 的电参数在总电离剂量（TID）最高 50 krad 的辐照前后均有规定。器件的单粒子效应（SEE）表征至线性能量转移（LET）43 MeV·cm²/mg。器件满载工作温度为 −55°C 至 +100°C，可支持在任务周期内经历大幅温度变化的系统。

为保证供电可靠，POL-05-20S-T 集成远端采样、欠压与过压保护、软启动、使能引脚和电源正常指示引脚。可调输出电压、宽输入范围与输出下垂调节，便于设计人员针对需要紧电压调节和快速瞬态响应的高电流负载进行调整。

Microchip 提供完整的航天电源套件，作为航天系统设计人员端到端解决方案的组成部分，涵盖 EMI 滤波器、DC-DC 转换器、负载点稳压器、高可靠性分立器件、FPGA 以及 PIC64-HPSC 高性能航天计算（High-Performance Spaceflight Computing）器件。该产品组合基于数十年的航天经验积累，可帮助客户简化开发、降低设计风险并加快关键任务航天系统的部署。

价格与供货

POL-05-20S-T 现已量产供货，可直接向 Microchip 购买，或联系 Microchip 销售代表及全球授权分销商。