三星加速HBM投资：温阳园区拟建五条生产线

三星电子正加快高带宽内存（HBM）投资，以应对AI芯片需求激增。据Chosun Biz报道，会长李在镕提出将公司位于忠清南道牙山的温阳园区（Onyang Campus）打造为主要HBM生产枢纽，新设施运营时间提前约一年至2028年6月。另据Asia Business Daily报道，HBM量产预计于2029年5月启动。

据Yonhap News报道，三星计划投资46万亿韩元，在温阳建设五条HBM生产线，其中6万亿韩元用于工厂建设，40万亿韩元用于先进设备，相关支出将分阶段进行。项目完成后，温阳园区总建筑面积将从27万平方米增至42万平方米，约为目前的1.6倍。

新的第5条生产线（Line 5）设施将包含三层洁净室（cleanroom）空间，总面积约3.1万平方米。据Chosun Biz报道，该设施预计生产下一代HBM产品，包括第七代HBM4E，三星正寻求在AI服务器内存需求上升之际确保先进封装（advanced packaging）产能。

另外，据Seoul Economic Daily报道，三星已将温阳和天安（Cheonan）的更大范围投资计划从56万亿韩元提高至60万亿韩元，旨在加强两地HBM生产与先进封装能力。

三星在整体扩张中优先HBM封装

三星也在现有设施中优先提升HBM封装产能。据The Elec早前报道，该公司据报正重新分配天安和温阳场地的空间与设备，转向包括HBM在内的先进封装，同时将更多传统内存模块生产外包。

路透社报道称，温阳扩张也是三星关联公司7月宣布的更广泛投资计划的一部分。该项目支持韩国忠清地区更广泛的产业发展倡议；当地政府正与三星、SK海力士（SK hynix）及其他公司合作推进重大项目，覆盖半导体、物理AI（physical AI）和AI数据中心等领域。