IPP111N15N3GXKSA1国产替代
参数对比
| 参数项 | Infineon(英飞凌) IPP111N15N3GXKSA1 |
Siliup(矽普) SP015N09GHTQ |
对比结论 |
|---|---|---|---|
| 漏极-源极耐压 VDS | 150V | 150V | 参数一致 |
| 最大持续漏极电流 ID | 83A（TC=25°C） | 90A（TC=25°C） | 矽普电流更高 |
| 最大脉冲漏极电流 ID, pulse | 332A | 360A | 矽普更高 |
| 最大漏极源极导通电阻 RDS(on) | 10.8mΩ（TO263）、11.1mΩ（TO220） | 12mΩ（最大，TO-220-3L） | 英飞凌更低，但典型值相近 |
| 漏极源极导通电阻（典型） | 9.4mΩ（TO220，VGS=10V） | 9mΩ（VGS=10V，ID=20A） | 参数相近 |
| 栅极阈值电压 VGS(th) | 2-4V（典型3V） | 2-4V（典型3V） | 完全一致 |
| 栅极-源极耐压 VGS | ±20V | ±20V | 一致 |
| 最大功耗 Ptot | 214W（TC=25°C） | 180W（TC=25°C） | 英飞凌略高 |
| 结壳热阻 RthJC | 0.7 K/W | 0.69 °C/W | 参数极为接近 |
| 工作温度范围 Tj | -55 至 175°C | -55 至 150°C | 英飞凌最高温度略高 |
| 栅电荷 Qg | 41nC（典型） | 30nC（典型） | 矽普更低，开关更快 |
| 输入电容 Ciss | 3230pF（典型） | 3310pF（典型） | 参数相近 |
| 开关延迟 td(on) | 17ns | 13ns | 矽普更快 |
| 上升时间 tr | 35ns | 25ns | 矽普更快 |
| 反向恢复时间 trr | 132ns | 76ns | 矽普更快 |
| 封装规格 | TO-220-3、TO-263、TO-262 | TO-220-3L | 封装兼容 |
| 产品图片 | 暂无图片 |  |
Siliup(矽普)SP015N09GHTQ
SP015N09GHTQ为合肥矽普半导体推出的高性能N通道功率MOS管，基于先进沟槽分离栅结构工艺，具有低导通电阻和快速开关能力。其最大漏极电流90A、耐压150V，能够满足严苛工业及电源类应用需求。产品采用TO-220-3L封装，具备良好的热性能和机械兼容性。SP015N09GHTQ通过100%单脉冲雪崩能量测试，保证器件更高可靠性，是大功率、高效率场合的国产优选替代方案。
应用领域
- 大功率开关电源
- DC-DC转换器
- 电源管理及高频开关应用
- 负载驱动、功率转换单元
- 电磁加热、UPS/逆变器等工业电力电子设备
产品特点
- 快速开关
- 低栅电荷与低导通电阻
- 先进分离栅沟槽工艺
- 100%单脉冲雪崩能量测试
产品优势
通过与英飞凌IPP111N15N3GXKSA1的参数对比，SP015N09GHTQ在最大漏极电流、脉冲电流、开关速度及反向恢复时间等指标上表现更优，满足更高负载及更快响应需求。其典型导通电阻与英飞凌保持相近，实际功耗和效率表现优秀，且支持兼容TO-220-3L封装，便于直接替换。SP015N09GHTQ在雪崩能量测试上数值更高，体现出器件抗瞬态能力强。对比来看，该国产型号在对高频、快速切换要求的电力电子场景具有一定技术优势。
注：以上参数来源于数据手册，实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)
