英飞凌与Wolfspeed签署多年期200毫米碳化硅晶圆供应协议

英飞凌（Infineon Technologies AG，FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）与Wolfspeed（NYSE: WOLF）10月15日宣布，双方已签署一份新的多年期200毫米碳化硅（silicon carbide，SiC）晶圆供应协议，将英飞凌与Wolfspeed 现有的供货关系从150毫米衬底技术转向200毫米衬底技术。协议在德国慕尼黑与美国北卡罗来纳州达勒姆同时公布。

英飞凌表示，该协议直接支撑公司向200毫米SiC制造的转换，巩固其在功率半导体领域的全球领先地位，并强化支撑其SiC增长战略的供应链韧性。协议同时扩大了英飞凌的衬底采购来源，提升其应对未来增长的灵活性。

英飞凌首席运营官 Alexander Gorski 表示：“碳化硅是能源转型的核心，确保高质量、有韧性的200毫米衬底供应，对于兑现我们对客户的长期承诺至关重要。这份协议进一步拓宽了我们200毫米大规模制造所需的有力供应基础，建立在两家公司长达20年的供应关系之上。它增强了我们客户的供应链安全，并为支持英飞凌未来增长提供了额外的灵活性和可扩展性。”

SiC 半导体已成为电动汽车、可再生能源系统以及人工智能数据中心电源基础设施等领域电气化与能效应用的关键技术。英飞凌在新闻稿中指出，AI 数据中心正开始成为 SiC 功率半导体的重要需求来源。对于大规模管理基础设施的超大规模数据中心运营商而言，数据中心供电链路上的功率转换效率是直接的运营成本考量。SiC 的开关效率与热性能，使其在硅器件触及实际极限的特定功率转换环节具备技术适用性。叠加电动汽车传动系统、光伏逆变器与工业电机驱动中 SiC 用量的增长，这些趋势支撑了高质量200毫米 SiC 衬底的长期前景。

英飞凌称，与150毫米生产相比，转向200毫米 SiC 晶圆可带来显著的制造经济性：

• 晶圆直径增大，单片可用芯片面积增加；
• 单位衬底成本降低；
• 整体制造效率提升。

英飞凌采用多来源 SiC 衬底策略，以维持其全球制造网络的供应灵活性与质量，其中包括位于马来西亚居林的200毫米 SiC 晶圆厂。该公司称，该工厂的设计目标是成为全球规模最大、最具竞争力的碳化硅制造基地。