英飞凌首发300毫米SiC功率器件晶圆，采用现有硅产线设备

英飞凌科技（Infineon Technologies AG，FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）11月9日宣布，已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的工厂将300毫米碳化硅（silicon carbide，SiC）晶圆加工成可工作的功率器件，成为首家在全尺寸半导体晶圆厂环境中完成这一工艺的企业。该工艺借助现有的硅（Si）生产设备实现。

英飞凌表示，此次产出功能性功率器件，体现了公司向客户提供完整高性能SiC功率半导体产品组合、并保障长期供应的策略。300毫米晶圆的直径更大，单片可产出芯片数量是200毫米晶圆的2.3倍，制造效率和工艺水平均高于200毫米。

“这一技术里程碑进一步巩固了我们在功率系统领域的领先地位。祝贺并感谢我们充满热情的团队，他们为把300毫米SiC从实验室推向制造环境取得了重大进展。”英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，“功率半导体的领先意味着不断把技术推向更高水平。从硅、氮化镓到如今的碳化硅300毫米晶圆，我们处于能够扩大半导体制造规模、推动盈利性增长的位置。”

该里程碑显示SiC在300毫米晶圆上未来全面产业化的潜力。英飞凌称，将与客户和合作伙伴密切协作，规划300毫米SiC技术及量产时间，同时继续执行200毫米SiC的制造路线图。

SiC是高效功率转换的关键半导体材料，其材料特性可带来更低的功率损耗、更高的功率密度，并在高电压和高温条件下高效工作，应用包括牵引逆变器、车载充电机、电动汽车充电桩、大规模储能、工业驱动以及不间断电源。在AI数据中心，SiC正进入固态变压器、断路器和电源单元等新角色，英飞凌以范围广泛的**CoolSiC™**产品组合覆盖上述应用。

与此同时，英飞凌在德国德累斯顿（Dresden）工厂也验证了Cold Split技术用于300毫米SiC的可行性。与常规线锯相比，Cold Split从SiC晶锭上分离晶圆时的材料损耗更少、加工时间大幅缩短，同一晶体可切出更多晶圆，资本支出相应更低。

英飞凌目前基于硅、碳化硅和氮化镓三种相关材料制造半导体。2026年10月27日，该公司宣布在菲拉赫投资约11亿欧元，建设面向300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体大规模制造基地。此次SiC进展将这一路径延伸至第二种宽禁带材料。

electronica 2026展出安排

英飞凌将在慕尼黑electronica电子展上首次向公众展示全球首片已加工完成的300毫米SiC晶圆。展会于11月10日至13日举行，英飞凌展台位于C3馆502展位。

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