ROHM推出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC BM85060FV
ROHM（总部位于日本京都市）2026年10月29日宣布，开发出用于小型高效率AC-DC电源的**Totem Pole PFC（TP-PFC，图腾柱功率因数校正）**控制器IC BM85060FV，该产品支持GaN HEMT在MHz频段的高频开关。
该公司表示，近年来AC适配器、消费电子和小型工业设备的性能日益提高，设备所需电力也随之增加，同时对小型化和节能化的要求越来越高。在能效法规日趋严格的背景下，不仅要提高产品工作时的转换效率，还要降低无负载（空载）时的功耗。与传统的Si（硅）功率半导体相比，可支持高频开关的GaN HEMT因此得到越来越广泛的应用。
将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源，因能显著降低功率损耗，被视为实现高效率和小型化设备的有力电源方案。另一方面，传统TP-PFC控制技术广泛使用MCU，对于小型电源设备而言，除了功耗、电路规模和成本方面的挑战，如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也一直是难题。
BM85060FV 正是针对这些课题开发的专用控制器IC，能够以低功耗控制采用 GaN HEMT 的 TP-PFC 电路，并支持 MHz 频段的高频开关。在 AC 适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的 300～500W 级 AC-DC 电源中，该产品可在系统层面实现高达 99% 的转换效率。这不仅能抑制功率损耗和发热量，还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化，从而帮助电源电路进一步节省空间。
该产品还实现了仅150μA的空载电流，与普通产品相比降低了70%（截至2026年10月27日ROHM调查数据）。因此，使用该产品更容易降低系统的待机功耗，有助于构建满足DoE Level 7和CoC Tier 2节能要求的电源系统。
此外，新产品内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能，有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。
BM85060FV已于2026年10月开始销售，样品价格为670日元/个（不含税），并已通过网售平台开售（330W预设配置产品），客户可通过网售平台购买。ROHM还准备了搭载BM85060FV的330W输出TP-PFC评估板，用于支持采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发。
ROHM表示，未来将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体，以及与其模拟IC相结合、能够更大程度激发其性能的功率电子解决方案，为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。
应用示例
非常适合AC适配器、投影仪等消费电子设备，以及小型工业设备等以300～500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。
术语解说
- Totem Pole PFC（TP-PFC）：AC-DC电源中为高效利用输入电源电力而采用的一种PFC（Power Factor Correction，功率因数校正）电路方式。通过用开关器件替换传统PFC电路中使用的二极管整流桥，可降低导通损耗。
- GaN HEMT：GaN（氮化镓）是用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通半导体材料Si（硅）相比物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
- DoE Level 7：美国DoE（Department of Energy，美国能源部）针对电子设备外部电源实施的能效要求，对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格标准，要求相应产品具备高节能性能。
- CoC Tier 2：针对电子设备外部电源实施的欧盟CoC（Code of Conduct，行为准则）能效要求，同样对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格标准，要求相应产品具备高节能性能。
