高启全否认台积电3D DRAM传闻：长鑫扩产或致存储过剩

围绕台积电（TSMC）据称在英伟达（NVIDIA）推动下探索3D DRAM生产的报道，被誉为“DRAM教父”的半导体资深人士、南亚科技（Nanya Technology）前总裁高启全（Charles Kau）予以否认。他结合在台积电、英特尔（Intel）等公司担任高管多年的行业经验判断，台积电绝不会涉足DRAM制造。相反，他认为中国长鑫存储（CXMT）的激进扩张才是更大的威胁，并警告全球存储芯片供应可能因此过剩。

长鑫10座晶圆厂扩产引发过剩担忧，4F²目标面临障碍

据TechNews引述高启全的说法，长鑫存储正在北京、上海及其他地点建设10座晶圆厂，大规模新增产能预计将在两年内上线。他警告，这轮扩张可能引发全球存储芯片供应过剩，并挤压台湾供应商，即便长鑫存储因EUV（极紫外光刻）限制仍依赖成熟制程。

除产能外，长鑫存储也在推进技术前沿，目标是在年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM。但高启全质疑该架构能否实现量产。据《经济日报》报道，他认为即便投入大量研发资金，也未必能克服其技术壁垒。

TechNews引述高启全指出，DRAM微缩仍停留在6F²，尚无厂商实现4F²。与NAND闪存不同，DRAM采用单晶体管单电容（1T1C）结构，使进一步微缩尤为困难，其中电容微缩与漏电是主要障碍。他补充说，这些限制也使3D DRAM的开发更加复杂。

高启全强调，即便是三星（Samsung）和美光（Micron）等行业巨头也尚未跨越这些障碍，这进一步让外界对长鑫存储雄心勃勃的时间表产生怀疑。

与此同时，NAND闪存领域的竞争格局明显不同。TechNews引述高启全称，中国长江存储（YMTC）——其早期发展曾由他亲自带领——已成为全球技术领导者，甚至向三星和美光授权专利。他表示，与受限于EUV设备获取的中国逻辑晶圆代工产业不同，中国闪存产业凭借强大的融资能力占据竞争优势。

台积电否认3D DRAM传闻，高启全看淡其存储野心

据Tom’s Hardware引述台积电发言人报道，在有消息称台积电可能在英伟达推动下探索3D DRAM生产后，这家晶圆代工巨头已反驳相关猜测，并重申对核心代工业务的承诺。

高启全也持怀疑态度。据《经济日报》报道，他认为台积电在先进逻辑制造领域的领导地位，并不必然转化为DRAM生产专长。这两个领域所需技术存在根本差异，因此台积电进军传统存储制造的可能性极低。

TechNews报道称，高启全还以行业先例为证：台积电关联公司世界先进（Vanguard International Semiconductor，VIS）曾尝试进入存储制造但未成功，最终重新聚焦晶圆代工业务。他认为，这段经历凸显了在两种业务之间跨界所面临的挑战。

高启全还强调，尽管AI正通过3D堆叠与异质整合加速逻辑与存储的融合，但更紧密的整合并不一定要求台积电自己制造DRAM。据《经济日报》报道，这是他表达的核心观点。