三星加速3D Cube-H混合键合研发 2027年初完成设计套件

三星电子正加快先进封装布局，以强化其在AI芯片制造领域的地位。据ZDNet援引行业消息，该公司计划在2027年初完成下一代3D Cube-H技术的开发。该技术借助混合键合（hybrid bonding）实现逻辑芯片的垂直堆叠。三星计划于2027年初完成首版设计套件，之后与潜在客户展开评估。

这一开发对三星代工业务可能产生更广泛影响。ZDNet指出，若3D Cube-H顺利开发，将提升三星在下一代AI半导体领域的竞争力，并为其争取大型科技公司的制造订单奠定基础。

报道解释，三星的3D Cube技术让芯片垂直堆叠，而非并排布置，从而在相同占位面积内实现更高的晶体管密度。三星此前已开发采用热压键合（thermocompression，TC bonding）的3D Cube-T，目前正推进采用混合键合的3D Cube-H，以实现更精细的芯片间连接。

据ZDNet报道，三星一直在开发互连间距（interconnect pitch）约6微米（μm）的3D Cube-H，这一间距明显细于现有基于TC键合芯片约25μm的最小间距。

与利用热量和压力通过微凸块连接芯片的TC键合不同，混合键合直接连接芯片之间的铜端子。报道称，这种方式可实现更密集的互连，在提升性能与能效的同时带来更好的热特性。

三星推进AI芯片堆叠与封装研发

3D Cube-H预计将在先进AI芯片封装中扮演日益重要的角色。据ZDNet，其潜在应用包括堆叠GPU（图形处理器）等高性能逻辑芯片，或将逻辑芯片与HBM（高带宽存储器）等存储器件集成。不过，混合键合仍面临技术挑战。据ETNews，三星一名封装高管在ISMP 2026上表示，控制颗粒污染和防止空洞形成仍是该技术开发中的主要障碍。

三星还在扩大先进封装研究能力。据Yonhap News，会长Jay Y. Lee于11月1日访问了位于日本横滨的先进封装实验室（Advanced Package Lab，APL），审查封装材料与工艺技术进展。该设施于9月正式启用，属于三星计划在截至2028年的五年内投资3500亿韩元（2.62亿美元）的一部分，旨在推进封装研发并加强与日本供应商的合作。