长鑫存储增资扩产：DRAM后道测试加码，第六代制程验证完成

10月下旬，中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）完成一系列资本运作，涉及产业投资平台扩张及后道测试产能建设。

10月30日，长鑫新越产业投资（安徽）有限公司（ChangXin Xinyue Industrial Investment (Anhui) Co., Ltd.）在合肥成立，注册资本9亿元。该公司由长鑫存储全资持有，主要从事以自有资金进行的投资活动。

10月31日，长鑫新聚股权投资（安徽）有限公司（ChangXin Xinju Equity Investment (Anhui) Co., Ltd.，下称“新聚”）注册资本增至78.84亿元。作为长鑫存储重要的投资平台之一，新聚继续通过直接投资和基金出资，扩大在集成电路产业链的布局。

同日，长鑫存储产品（合肥）有限公司（ChangXin Memory Products (Hefei) Co., Ltd.）注册资本由66.61亿元增至110.61亿元，增幅约66%。该公司由长鑫存储全资持有，负责建设其DRAM后道晶圆测试设施二期项目。该项目总投资108亿元，此次增资预计将支持DRAM晶圆测试产能扩张。

新聚引领长鑫存储拓展半导体供应链

长鑫存储的产业投资主要依托长鑫新聚开展。

在基金投资方面，新聚参与设立长智瀚海（上海）私募股权投资基金（Changzhi Hanhai (Shanghai) Private Equity Investment Fund），该基金目标总规模39.1亿元。新聚认缴11.73亿元，持股30%，为该基金最大有限合伙人。新聚还投资了长三角协同发展私募股权基金和安徽新一代信息技术产业基金。

直接投资方面，新聚于2026年4月向Aijie Kexin Semiconductor增资1.5亿元。其还投资了Lightelligence和Z.AI，分别瞄准AI计算芯片、光计算芯片和通用大语言模型。

长鑫存储还参与了XHEART（苏州）的战略融资，将投资延伸至面向自动驾驶和机器人领域的物理AI计算芯片。

在上游领域，新聚投资了半导体设备零部件、薄膜材料和测试设备供应商，助力完善存储制造配套生态。其注册资本从2026年初约56.33亿元增至78.84亿元，产业投资能力进一步扩大。

第六代DRAM制程完成样品验证，业绩强劲增长

2026年前三季度，长鑫存储实现营收2690.24亿元，同比增长738.51%；归母净利润1320.4亿元，较上年同期亏损转为盈利。第三季度营收1187.14亿元，归母净利润544.35亿元。

业绩改善主要受全球DRAM供应短缺推动，产品销量和价格均有所提升；单位成本下降也带动毛利增加。

技术方面，继4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破后，长鑫存储已完成第六代制程技术平台的工程样品验证。公司预计到2026年底开始基于4F²架构的第一代DDR5 RDIMM产品客户送样，服务器应用是首批目标市场之一。

同时，第五代制程平台已进入量产。与第四代相比，其单晶圆芯片裸片（die）数量至少提升50%，并支持LPDDR6产品商业化。第六代平台在此基础上进一步推进制程与架构改进。