世界半导体技术协会（WSTS）数据显示，2025年全球半导体市场规模攀升至7920亿美元，较2024年大幅增长25.6%，创下自2021年（受新冠疫情影响，当年增幅26.2%）以来的最强劲增长态势，行业高景气度持续凸显。
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这一轮爆发式增长的核心驱动力，正是人工智能（AI）的蓬勃发展。其中，英伟达（Nvidia）表现最为亮眼，营收同比增长高达65%，成为AI驱动增长的核心标杆。与此同时，三星、SK海力士、美光科技、铠侠和闪迪等全球主要存储器厂商均明确表示，AI是其营收增长的核心动力，直接推动这些企业整体实现29%的营收增长，彰显AI对半导体产业的强劲拉动作用。
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不过，2025年第四季度行业业绩呈现喜忧参半的态势。其中，存储器公司营收表现强劲，较2025年第三季度增长21%至34%；英伟达营收持续攀升，较上一季度增长20%；另有十家企业2025年第四季度营收实现0.2%至11%的增长。与此同时，德州仪器、英飞凌、索尼影像和安森美四家企业营收出现下滑，呈现两极分化格局。
美光、闪迪、铠侠预计分别增长 37%、52%、64%，英伟达预计增 14%，另有四家厂商预计增 2%&ndash;11%；AMD、恩智浦、意法、安森美则受季节性影响预计下滑。
内存短缺已成为关键变量：AI 海量需求挤占内存供给，导致 PC、手机内存紧缺，英特尔、高通、联发科均因此下调 Q1 营收预期，IDC 也预警或影响终端出货。
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Semiconductor Intelligence 预计，AI 热潮将延续至 2026 年上半年，全年半导体市场增速有望超 20%，AI、工业、汽车将成为主要增长动力。

 WSTS发布全球芯片公司TOP20

2月27日，IC设计大厂联发科正式公布，以每单位约52.24美元的价格，收购美国共封装光学（CPO）新创企业Ayar Labs特别股1,722,759股，总交易金额达9000万美元，持股比例约2.4%。业界普遍解读，此举是联发科紧跟AI服务器光学传输升级趋势，主动强化相关领域布局的关键一步。
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作为全球少数实现CPO量产的企业之一，Ayar Labs的核心竞争力尤为突出，其核心技术是将光学I/O直接整合进芯片封装内，彻底取代传统电讯号传输架构，既能大幅提升传输带宽，又能有效降低功耗、延长传输距离，完美适配AI服务器对高速互连的核心需求，相较传统可插拔方案，功耗最多可降低50%。
值得关注的是，Ayar Labs的行业地位备受认可，罕见同时获得英伟达、AMD、英特尔三大芯片巨头联合投资，同时也得到台积电青睐，后者通过子公司VentureTech Alliance注资加持，足以彰显其在全球硅光子与光学传输领域的核心话语权。
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业界分析指出，当前AI服务器正全力追求&ldquo;互连效率&rdquo;，随着大型语言模型（LLM）与多模态AI的持续扩张，单一机柜内部GPU数量已增至数十颗规模，实现单个机柜内超高带宽、低延迟的Scale-up互连，成为AI服务器现阶段升级的核心重点。在此背景下，市场普遍预期，未来光学传输渗透率将迎来大幅提升，而CPO作为核心技术，有望成为光模块发展的主要方向。
联发科近年持续发力数据中心领域，积极拓展数据中心ASIC与高速SerDes技术布局。此次斥资入股Ayar Labs，不仅能快速强化自身在光学传输领域的布局，填补技术短板，未来若能整合Ayar Labs的光学I/O解决方案，还将进一步提升其在AI服务器芯片设计与高速接口市场的核心竞争力，抢占CPO风口下的发展先机。

联发科斥资9000万美元入股Ayar Labs

2月27日，据CNBC报道，OpenAI正式宣布完成高达1100亿美元的最新一轮融资，由亚马逊、英伟达、软银三大科技巨头联合加持，创下迄今为止全球规模最大的私有科技公司融资纪录，彰显全球对前沿技术赛道的高度认可。
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本轮融资出资明细明确：亚马逊注资500亿美元，英伟达与软银各投资300亿美元，三大巨头的深度入局，为OpenAI的技术扩张与基建布局注入强劲动力。融资完成后，OpenAI的投前估值飙升至7300亿美元，较去年10月二级市场交易时的5000亿美元大幅跃升，估值涨幅高达46%，成长势头迅猛。
作为此次最大投资方，亚马逊的500亿美元出资将分阶段落地：首期承诺投入150亿美元，剩余350亿美元将在满足特定条件后，于未来数月内逐步到位。伴随资金层面的深度绑定，双方同步达成长期战略合作协议，开启双向赋能模式。
根据合作协议，OpenAI将扩大与亚马逊云科技（AWS）的现有合作规模，计划在未来八年内新增1000亿美元合作金额；同时，AWS将成为OpenAI新近推出的企业级平台Frontier的独家第三方云分销商，助力Frontier平台向全球企业客户普及。此外，双方还将联合开发定制化大模型，并打造基于OpenAI模型的有状态运行环境，集成至亚马逊Bedrock平台，为亚马逊终端客户应用服务提供底层技术支撑，OpenAI也将通过AWS基础设施消耗2吉瓦的Trainium算力，满足前沿工作负载需求。
OpenAI CEO 山姆・奥特曼表示，前沿技术需要海量算力支撑，公司规划到 2030 年算力总支出达 6000 亿美元，预计同年营收超2800 亿美元，消费与企业业务各占一半。
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目前 OpenAI 在消费端领先，但面临 Anthropic、谷歌 Gemini 等激烈竞争。竞争对手 Anthropic、xAI 融资分别为 300 亿、200 亿美元，OpenAI 此次巨额投入将强化算力优势，巩固行业领先地位。

OpenAI正式宣布完成高达1100亿美元的最新一轮融资

存储芯片市场迎来&ldquo;暴涨潮&rdquo;，DRAM与NAND闪存价格同步飙升，双双创下历史新高，延续此前的强势上涨态势，行业高景气度持续凸显，对下游终端产业链产生深远影响。
据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，2月份通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格达13.00美元，较上月的11.50美元上涨13.04%，这一价格创下自2016年6月该机构启动该项调查以来的最高水平。
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涨价势头持续强劲，自去年4月以来，通用DRAM价格已实现连续11个月上涨，涨势未出现丝毫放缓迹象。DRAMeXchange的母公司TrendForce进一步指出，PC DRAM价格较上一季度上涨110%至115%，这一增幅远超2025年第四季度的38%-43%，涨幅翻倍不止。
TrendForce分析表示，大多数DRAM供应商和PC制造商已于2月份完成第一季度的价格谈判，由于大部分合同已签订，预计3月份的价格水平将与2月份相近，短期内DRAM高价态势将持续维持。
与此同时，NAND闪存价格也同步创下历史新高，涨势更为迅猛。本月，用于存储卡和USB的通用型NAND闪存产品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易价格为12.67美元，较上月的9.46美元飙升33.91%，标志着NAND闪存价格已实现连续14个月上涨，成为存储市场涨价的另一核心主力。
价格暴涨源于供需持续失衡。供应商将产能集中于高容量 3D NAND，导致 SLC、MLC 等成熟工艺供应更紧张。TrendForce 预计，边缘计算与汽车需求增长将使失衡延续至下半年，NAND 闪存上半年将稳步上涨。
本轮存储涨价由产能结构性转移 + 需求爆发共同推动，厂商将先进制程转向高毛利产品，压缩传统存储供给，叠加下游需求旺盛，涨幅远超以往周期。

DRAM和NAND，价格飙升

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2月27日，高通于美国加州当地时间26日正式官宣，前英特尔代工高管Kevin O'Buckley将走马上任，自3月2日起出任高通全球运营与供应链执行副总裁，直接向高通执行副总裁、首席财务官兼首席运营官Akash Palkhiwala汇报工作。
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据悉，Kevin O'Buckley在半导体行业拥有三十年资深经验，此前在英特尔担任副总裁及晶圆代工部门服务总经理，主导英特尔代工业务的全球运营、先进封装、工艺技术及供应商合作等核心工作，还曾任职于IBM、格芯、美满等企业，在复杂半导体业务扩展、定制芯片交付领域积累了深厚资历。
履新后，Kevin O'Buckley将全面掌舵高通全球半导体业务，核心负责制造工程、代工及供应商合作、供应链和采购等关键领域，助力高通优化供应链布局、强化代工合作，适配其先进制程芯片的产能需求。
Akash Palkhiwala对此次任命给予高度认可，他表示：&ldquo;Kevin拥有深厚的运营专长、卓越的商业领导能力，以及数十年来在扩展复杂半导体业务和交付数据中心及边缘设备定制芯片产品方面的经验。他的领导将进一步加强我们的全球运营，我们将继续大规模交付业界领先的高性能、低功耗计算、人工智能和连接产品。&rdquo;
此次高通挖角英特尔核心代工高管，背后是其强化全球供应链韧性、拓展先进制程代工合作的战略考量，尤其是在高通重启三星2nm代工合作、推进多供应商布局的背景下，Kevin O'Buckley的加入将为其带来关键助力。

高通挖角英特尔代工高管Kevin O'Buckley

最近，北京大学电子学院邱晨光研究员披露，该院彭练矛院士团队在铁电晶体管研究领域取得重大突破，成功制备出迄今全球尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管器件，将铁电晶体管物理栅长缩减至1纳米极限，相关成果已发表于国际权威期刊《科学・进展》，彰显中国在芯片基础研究领域的顶尖实力。
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此次突破的核心的是团队的创新性技术&mdash;&mdash;通过纳米栅极结构设计，巧妙破解了铁电材料&ldquo;改变极化状态&rdquo;需高电压、高能耗的行业痛点，打破了传统铁电晶体管的物理局限。
&ldquo;我们持续精进工艺，将铁电晶体管的物理栅长缩减至极限1纳米，这一精度达到原子尺度，促成铁电层内部形成高强度电场，仅需0.6V电压激发，即可轻松翻转铁电极化。&rdquo;邱晨光表示，这一技术实现了能耗的跨越式提升，比国际最好水平整整降低了一个数量级，为低功耗芯片研发开辟全新路径。
与传统半导体逻辑晶体管相比，铁电晶体管（FeFET）拥有独特优势&mdash;&mdash;同时兼具存储和计算能力。&ldquo;它像人脑的神经元一样，将存储和计算功能合二为一，有望彻底打破传统计算架构中&lsquo;存储&rsquo;与&lsquo;计算&rsquo;分离导致的效率瓶颈。&rdquo;邱晨光解释道。
更值得关注的是，铁电晶体管&ldquo;存算一体&rdquo;的特性，高度契合AI芯片的进化方向，业内已将其视为神经形态计算领域最具潜力的新型基础器件，未来应用前景广阔。
邱晨光进一步解读技术原理：&ldquo;纳米栅的设计就好像是对电场进行了&lsquo;杠杆放大&rsquo;，能够以极低的电压代价，驱动铁电材料发生极化反转，从而在物理机制上实现了能耗的跨越式降低。&rdquo;这款超低工作电压、超低能耗的纳米栅铁电晶体管，不仅能为构建高能效数据中心提供核心器件支撑，更将为下一代高算力人工智能芯片奠定关键技术基础。
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北大团队突破1nm极限，制备全球最小铁电晶体管

2月24日，上交所官网显示，盛合晶微半导体有限公司（盛合晶微）科创板IPO成功通过上市审核委员会审议，成为马年首家科创板过会企业，开启国内先进封测企业对接资本市场的新征程。
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作为全球领先的集成电路晶圆级先进封测企业，盛合晶微此次IPO计划募集资金48亿元，聚焦核心业务升级：其中40亿元用于三维多芯片集成封装项目，8亿元投入超高密度互联三维多芯片集成封装项目建设，进一步扩大先进封装产能，强化技术领先优势。
招股书及公开信息显示，盛合晶微在先进封测三大核心领域均实现重大突破，技术实力稳居行业前列：
在中段硅片加工领域，公司是中国大陆最早实现12英寸凸块制造（Bumping）量产的企业之一，已稳定实现12英寸Bumping量产，更是国内第一家能够提供14nm制程Bumping服务的企业，填补了国内高端集成电路制造产业链的空白，目前拥有中国大陆最大的12英寸Bumping产能规模。
在晶圆级封装领域，盛合晶微成功实现12英寸大尺寸晶圆级芯片封装（晶圆级扇入型封装，WLCSP）的研发及产业化，涵盖适用于更先进技术节点的12英寸Low-K WLCSP，以及市场需求快速增长的超薄芯片WLCSP，2024年度其12英寸WLCSP收入规模位居中国大陆第一，市场占有率约31%。
在芯粒多芯片集成封装领域，公司2.5D业务和3D Package业务均已实现规模量产：2.5D业务已形成稳定规模销售，毛利率趋于平稳，2024年度在中国大陆2.5D收入规模排名第一，市场份额高达85%；3D Package业务则于2025年5月正式进入量产阶段，技术水平可全面对标全球领先企业，无明显技术代差。
值得关注的是，盛合晶微已成功从专业中段凸块（bumping）厂商，转型为中国大陆AI硬件加速的主导平台。2022-2024年间，公司实现69.77%的收入复合年增长率（CAGR），营收从16.33亿元增长至47.05亿元，实现从亏损到持续盈利的跨越，2025年上半年归母净利润已达4.35亿元。此次IPO不仅是为了补充资金、扩大产能，更是对&ldquo;晶圆代工-封装一体化&rdquo;（Foundry-Packaging Integration）模式估值的关键尝试，助力行业探索全新发展路径。
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关于未来发展，盛合晶微明确表示，将持续深耕先进封测领域，借鉴前段晶圆制造的先进制造与管理体系，深化质量管控；同时发挥前中后段芯片制造的综合优势，打造先进芯粒多芯片集成封装测试一站式服务能力，满足高算力、高带宽、低功耗等性能需求，助力我国集成电路产业链自主可控。

盛合晶微冲刺IPO，募资48亿加码芯片先进封装

2月26日，中芯国际正式发布公告，宣布其拟发行股份购买中芯北方49%股权的申请，已顺利获得上交所受理，标志着这场规模达406亿元的核心资产收购，迈出决定性一步，将进一步强化中芯国际在晶圆代工领域的龙头地位。
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公告明确披露，中芯国际于2月25日收到上交所出具的受理通知，上交所已依据相关规定，对公司报送的发行股份购买资产申请文件进行全面核对，确认申请文件齐备、符合法定形式，正式决定予以受理并依法开展审核工作。本次交易尚需通过上交所审核，并获得中国证监会同意注册后方可实施，最终获批时间仍存在不确定性。
根据申报稿细节，中芯国际此次收购的核心标的为中芯北方49.00%股权，交易价格高达406.01亿元，收购方式为向5名中芯北方核心股东发行股份。这5名股东分别为国家集成电路基金、集成电路投资中心、亦庄国投、中关村发展、北京工投，均为行业核心国资背景投资机构，此次交易完成后，中芯国际将实现对中芯北方的全资控股。
据悉，中芯北方成立于2013年，是中芯国际体系内核心的12英寸晶圆制造基地，拥有两条300mm生产线，总月产能达7万片，工艺覆盖65nm至28nm节点，涵盖通用逻辑、低功耗逻辑、混合电路等多个领域，产品广泛应用于手机、消费电子、汽车电子等终端场景，已实现大规模量产，且盈利能力强劲，2024年净利润同比增长近3倍。
此次收购的核心意义在于，中芯国际可通过全资控股中芯北方，进一步提升资产质量与业务协同效率，统筹调配产线资源、优化管理架构，减少关联交易成本，同时借助中芯北方成熟的产能与盈利优势，为自身先进制程研发及新产线建设提供稳定现金流支撑，助力国产半导体产业链自主可控。

中芯国际大手笔，百亿收购上交所受理

2月25日，韩国SK海力士正式宣布重磅投资计划：将斥资21.6万亿韩元（约合150.7亿美元），于2030年前在韩国龙仁市新建芯片生产线，全力加码高性能半导体产能，抢占AI时代发展先机。
据SK海力士在监管申报文件与声明中披露，这笔巨额投资将重点用于首座工厂的建设，同时同步推进第二至第六阶段的5个洁净室建设，加速产能落地。加上2024年7月已投入的9.4万亿韩元，该龙仁园区累计投资额将达31万亿韩元，规模堪称行业标杆。值得一提的是，首座洁净室启用时间将从原定的2027年5月提前至同年2月，大幅缩短投产周期。
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此次大规模投资绝非偶然，背后是全球半导体需求的结构性爆发。当前，人工智能、数据中心和高性能计算快速普及，市场对高性能、高密度半导体的需求持续飙升，尤其是AI应用核心部件HBM（高带宽内存）需求激增，而行业产能缺口短期内难以缓解，预计2027年底前都无法实现实质性供需平衡。
SK海力士明确表示，此次巨额投资核心目的，就是满足全球半导体中长期需求，同时加速自身技术迭代，进一步强化在先进存储领域的竞争力。据悉，龙仁新建工厂将主要生产次世代DRAM及AI所需的HBM，同时保留根据市场变化调整产品线的弹性，同步导入EUV微影等先进设备，提升制程能力与良率。

150亿美元！SK海力士在韩新建半导体工厂

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