<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/9rw4jd1i.jpg" alt="中国研究人员成功制备厚度超300微米的碳化硅外延薄膜" /><div style="font-size: 15px; line-height: 1.9; color: #2d2d2d; font-family: 'PingFang SC', 'Hiragino Sans GB', 'Microsoft YaHei', sans-serif; padding: 8px 0;"> 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院近日宣布，皮孝东教授和王蓉研究员带领的团队成功制备出厚度超过300微米的超厚碳化硅（SiC）外延薄膜，这一厚度远超常规SiC外延层，攻克了长时间外延生长中晶体质量与缺陷控制的核心难题。 据团队介绍，传统4H-SiC外延层的厚度通常限于几十微米，生长过程中极易出现堆垛层错、基面位错等缺陷的增殖，难以满足超高压功率器件对低缺陷、超高厚度外延层的要求。研究团队通过优化生长气氛、温度和气流场等关键参数，结合创新的缺陷抑制技术，在长时间生长中维持了稳定的外延条件，最终获得了晶体质量优异、表面平整度高的超厚单晶薄膜。经多种表征手段验证，其位错密度和背景载流子浓度均达到国际领先水平。 超厚SiC外延薄膜是制造万伏级以上高压功率器件、高效率射频器件以及应用于航空航天、核能等极端环境电子设备的核心材料。本项突破不仅填补了国内在该领域的技术空白，也为实现宽禁带半导体材料自主可控、提升国产SiC功率器件的电压等级和可靠性提供了新的路径，有望加速其在智能电网、新能源轨道交通、深海探测等领域的商用进程。该研究成果再次彰显了我国在第三代半导体基础材料研发中的创新实力。</div>

浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院的皮孝东教授和王蓉研究员团队，成功制备出厚度超过300微米的碳化硅外延薄膜，为高压功率器件和极端环境应用带来新可能。

中国研究人员成功制备厚度超300微米的碳化硅外延薄膜

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/s7mnhi0w.jpg" alt="折叠屏iPhone保护壳泄露：双摄与纤薄机身设计初现，苹果2026年发布仍可期" /><div style="font-family: 'PingFang SC', 'Microsoft YaHei', 'Hiragino Sans GB', sans-serif; padding: 20px 16px; color: #2c2c2c; letter-spacing: 0.3px;"> 市场对苹果首款折叠屏iPhone的期待持续升温。虽然近期有传闻指出该设备在开发过程中遇到了铰链稳定性与量产瓶颈等挑战，但多方迹象表明，苹果仍锁定2026年作为正式发布窗口。近日，一组疑似官方的折叠iPhone保护壳图纸通过法国科技媒体iPhoneSoft流出，提前披露了关键硬件设计语言，进一步印证了产品进度的可信度。 <hr style="border: none; height: 3px; background-color: #bf2722; width: 48px; margin: 0 0 24px 0; border-radius: 1px;" /> 保护壳谍照显示，可折叠iPhone将采用横向内折方案，折叠后的机身厚度明显向iPad Pro的纤薄看齐，预计可提供更紧凑的握持感。摄像头模组方面，保护壳预留的开孔仅容纳双镜头配置，暗示苹果可能为了极致轻薄而在影像系统上做出取舍，放弃Pro系列的三摄或LiDAR模组，转而采用高规格双摄加激光对焦的优化方案。这一设计与近期知名分析师预测的&ldquo;折叠iPhone将优先追求便携性&rdquo;的结论吻合。 从保护壳边缘的开槽位置可以推测，机身侧边仍会配备电源指纹整合按键，而非屏下方案，扬声器开孔和USB-C接口则集中在底部。值得注意的是，壳体内侧未显示任何铰链遮蔽结构，这可能意味着苹果会采用类似三星Galaxy Z Fold系列的隐藏式铰链，以实现无缝闭合。此外，保护壳背面预留的麦克风孔也透露出立体声录音能力的继承，符合苹果一贯对视频创作功能的重视。 <hr style="border: none; height: 3px; background-color: #bf2722; width: 48px; margin: 0 0 24px 0; border-radius: 1px;" /> 尽管此次泄露的保护壳设计图尚未得到苹果官方证实，但其精准的孔位排布和模组造型已吸引多位供应链人士关注。若消息属实，那么折叠iPhone将搭载定制版iOS以适配内外双屏交互，并在重量与耐用性之间找到新的平衡。结合TrendForce先前对折叠屏手机市场的预测，苹果的入局有望在2026年将全球折叠手机渗透率推升至5%以上，并为疲软的智能手机市场注入新变量。</div>

折叠屏iPhone保护壳设计图遭泄露，揭示后置双摄与极简纤薄机身。尽管面临铰链挑战，苹果折叠手机仍有望2026年问世，为市场带来全新交互体验。

折叠屏iPhone保护壳泄露：双摄与纤薄机身设计初现，苹果2026年发布仍可期

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/m2grwzax.jpg" alt="英特尔拟2027年导入硅电容，强化EMIB供电稳定性，助力Google v8e处理器" /><div style="font-family: 'Georgia', 'Times New Roman', 'Songti SC', 'KaiTi', serif; color: #333333; line-height: 1.9; padding: 10px 0;"> 在先进封装产能争夺日趋白热化的背景下，英特尔正通过EMIB技术争取更多云端大厂订单。最新消息指出，英特尔计划于2027年为Google自研的v8e处理器导入硅电容（Silicon Capacitor），以解决多芯片封装中的供电噪声与瞬态响应问题，进一步提升EMIB平台的整体功率完整性。 EMIB技术通过将微小的硅桥嵌入基板，实现芯片间的高速互联，省去了庞大的中介层，成本与灵活性兼备。然而，随着异构集成规模扩大，多颗小芯片密集互连带来的动态电源波动成为设计瓶颈。硅电容因具备极低的等效串联电感（ESL）和优异的高频去耦特性，可直接贴合于基板或芯片附近，有效抑制电源纹波，确保核心运算单元在高速切换时仍能获得干净稳定的电压供应。 Google的v8e处理器被认为是面向数据中心AI推理与训练任务的高性能芯片，对供电质量极为敏感。英特尔若能在2027年如期量产搭配硅电容的EMIB方案，不仅将巩固其与Google的战略合作，更有望在台积电CoWoS产能持续紧缺的窗口期，吸引更多寻求第二供应商的芯片设计公司，重塑先进封装市场格局。 </div>

据ZDNet报道，英特尔计划于2027年为Google v8e处理器在EMIB封装中导入硅电容，以增强供电稳定性。此举动有望在台积电CoWoS产能紧张背景下，为英特尔争取更多先进封装订单。

英特尔拟2027年导入硅电容，强化EMIB供电稳定性，助力Google v8e处理器

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/6nqezznn.jpg" alt="字节跳动传自主开发CPU，应对供应紧张，布局Arm与RISC-V" /><div style="font-family: 'PingFang SC', 'Hiragino Sans GB', 'Microsoft YaHei', 'Noto Sans SC', sans-serif; font-size: 16px; line-height: 1.9; color: #2c2c2c; letter-spacing: 0.02em; padding: 20px 0;"> 据路透社引述知情人士报道，字节跳动正在推进自主中央处理器（CPU）的研发，以应对AI推理工作负载爆发式增长所带来的基础设施压力以及外部芯片供应持续紧张的局面。作为中国人工智能领域的头部企业，字节跳动此举被视为其进一步掌控AI算力全栈能力的关键布局。 消息称，字节跳动在架构选择上采取双轨策略，同时评估Arm和RISC-V两种指令集。其中，Arm架构凭借成熟的软件生态和广泛的数据中心部署经验，可能成为近期落地的首选；而RISC-V因其开源、灵活的特性，更适合定制化和长期自主可控的需求，特别是在边缘推理场景中潜力巨大。 目前，全球高端AI芯片供给受地缘政治因素影响持续受限，英伟达等GPU供应依然紧张。字节跳动的自研CPU项目若成功量产，将有助于降低对外部通用处理器的依赖，为其推荐系统、大模型推理及云服务等核心业务提供更具性价比和弹性扩缩能力的底层支撑。此前，该公司已在美国等地招聘芯片架构师，显示了其在半导体领域的长期投入决心。 </div>

路透社报道，字节跳动正在自主开发CPU，以应对AI推理带来的基础设施需求和供应紧张问题，并同时探索Arm与RISC-V两种架构，进一步构建AI全栈能力。

字节跳动传自主开发CPU，应对供应紧张，布局Arm与RISC-V

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/hg00jrac.jpg" alt="博通携手FuriosaAI开发2nm AI芯片，台积电代工，2028上半年送样" /><div style="font-family: 'PingFang SC', 'Hiragino Sans GB', 'Microsoft YaHei', 'Noto Sans SC', sans-serif; font-size: 17px; line-height: 2; color: #2c2c2c; letter-spacing: 0.5px; padding: 16px 0;"> <p style="margin: 0 0 20px 0; text-indent: 2em; position: relative; padding-left: 16px; border-left: 4px solid #bf2722; background: linear-gradient(to right, rgba(191,39,34,0.04) 0%, transparent 100%); padding-top: 12px; padding-bottom: 12px; padding-right: 8px; border-radius: 0 6px 6px 0;"> 随着业界对NVIDIA GPU替代方案的需求升温，博通（Broadcom）作为定制芯片（ASIC）设计服务领域的领导者，正不断扩大其在AI芯片领域的影响力。据韩国媒体《亚洲商业日报》报道，博通将与韩国AI芯片初创公司FuriosaAI达成合作，共同打造一款面向大规模AI推理应用的下一代芯片。 该芯片将采用最先进的2纳米制程，并交由台积电（TSMC）负责制造。消息人士透露，FuriosaAI和博通计划在2028年上半年向客户提供工程样品。此举旨在利用博通在高速互联、先进封装及芯片设计上的深厚积累，结合FuriosaAI在AI推理架构方面的创新，为数据中心及云端推理负载提供高性能且高能效的解决方案。 <div style="width: 60px; height: 3px; background: #bf2722; margin: 24px 0 20px 0; border-radius: 2px; opacity: 0.7;"></div> FuriosaAI此前已推出主打AI推理的Warboy芯片，此次联手博通并采用2nm工艺，被视为其进军高端算力市场的重要一步。对博通而言，这也是继与谷歌等巨头合作后，进一步巩固其AI ASIC版图的关键布局。通过减少对NVIDIA通用GPU的依赖，双方期望在日益拥挤的AI芯片赛道中走出一条差异化路径。 </div>

博通与FuriosaAI达成合作，共同开发基于台积电2nm工艺的下一代AI推理芯片，预计2028年上半年提供样品，进一步降低对NVIDIA GPU的依赖。

博通携手FuriosaAI开发2nm AI芯片，台积电代工，2028上半年送样

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/7fjs2rc6.jpg" alt="北京大学发布华为LogicFolding专用EDA工具，麒麟2026芯片或达3nm级性能" /><div style="font-family: 'PingFang SC', 'Microsoft YaHei', 'Hiragino Sans GB', sans-serif; font-size: 17px; line-height: 2.1; color: #2c2c2c; letter-spacing: 0.4px;"> 近日，华为在技术峰会上正式发布了创新的LogicFolding架构，该架构基于全新的Tau (τ) 比例定律，旨在突破传统芯片设计的物理极限。为支持这一前沿架构，北京大学的研究团队迅速响应，成功开发出一款原型电子设计自动化（EDA）工具，专门针对LogicFolding架构和τ扩展律进行优化设计。 据《南华早报》报道，该EDA工具能够有效处理芯片逻辑折叠带来的复杂设计挑战，从而实现更高密度和更低功耗。华为的LogicFolding架构通过动态折叠逻辑单元，大幅提升了晶体管利用率，而北京大学提供的定制化工具链填补了现有商业EDA软件在这一新范式上的空白。 <div style="height: 1px; background: linear-gradient(to right, transparent, #bf2722, transparent); margin: 30px 0; opacity: 0.5;"></div> 与此同时，业界传出下一代麒麟2026处理器将采用这一突破性技术。消息人士透露，尽管外部制裁限制仍存，麒麟2026芯片通过架构创新和国内EDA工具的协作，有望实现媲美3nm工艺的性能水平。这一进展标志着中国在自主可控半导体设计流程上迈出了关键一步。 华为和北京大学均未对此事发表正式评论，但此次合作展现了产学研深度融合在应对技术封锁中的巨大潜力。</div>

北京大学为华为LogicFolding架构开发专用EDA工具，支持全新Tau比例定律。麒麟2026芯片有望借助该设计实现3nm级性能。

北京大学发布华为LogicFolding专用EDA工具，麒麟2026芯片或达3nm级性能

<img src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2026-05-28/1fd580b0a15e4bb9b2d767c41c7bed31-5pyL5YL5ZyI5rW35oqlIO8iOaXoOS6jOe7tOegge8iS5qcGc.jpg" alt="" width="741" height="1924" />
活动规则
活动时间：2026年6月15日--2026年6月18日
活动范围：仅限线上商城订单参与
发奖时间：满额多倍积分活动期间支付成功即可累计，活动结束T+1日自动赠送对应阶梯奖品至下单账户（日常消费1元送1积分照旧订单全额发货后发放），以积分值形式发放，可至<a href="https://www.bomman.com/point/use">圣禾堂商城积分兑换-圣禾堂在线</a>自行兑换，有效期至27年12月31日。抽奖实物券/优惠券有效期至6月24日。
一、累计满赠积分翻倍
1、实付金额累计日期： 6月15日-6月18日
2、满赠规则：订单创建时间不限，按照活动期间产生支付行为的累计实付金额为准，活动结束T+1日自动赠送对应阶梯奖品至下单账户【*积分兑换比例1:500，即5w积分可兑换价值100元卡券】：
5k&le;累计实付金额&lt;1w：下单即赠5倍积分，最高加赠4.9w积分，可兑&asymp;100元京东卡；
1w&le;累计实付金额&lt;30w：下单即赠8倍积分，最高加赠239.9w积分，可兑&asymp;4800元京东卡；
30w&le;累计实付金额&lt;100w：下单即赠9倍积分，最高加赠899.9w积分，可兑&asymp;18000元京东卡；
累计实付金额&ge;100w：下单即赠10倍积分，加赠1000w以上积分，可兑&ge;20000元京东卡；
*京东卡以积分值形式发放至下单账户，有效期至27年12月31日；
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二、新人注册抽奖：
1、参与门槛：注册未消费记录新用户，每人限抽1次
2、奖品：500元无门槛通用券、127元小米加湿器3、100元京东卡、20000积分、200-30元现货券、20元京东卡、1000积分、100-8元现货券
3、有效期：券有效期至6月24日，积分有效期至27年12月31日。
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规则补充说明：
1、满赠礼品若为京东E卡，将以等额积分值的形式赠送，中奖用户可自行前往<a href="https://www.bomman.com/point/use">圣禾堂商城积分兑换-圣禾堂在线</a>页面，用积分兑换京东E卡，积分有效期至2027年12月31日；
2、若满赠为实物礼品，用户可在<a href="https://www.bomman.com/account/asset-center/my-discount">圣禾堂在线-一站式电子元器件采购平台-元器件在线采购商城</a>中查询，点击立即使用即可输入收货地址兑换，我们将在规定时间内寄送，可在<a href="https://www.bomman.com/account/asset-center/my-discount">圣禾堂在线-一站式电子元器件采购平台-元器件在线采购商城</a>中查看物流情况，有效期之前未用券兑换则视为自愿放弃；
3、 同一手机号（与商城注册、领取京东卡、下单手机号任意一个相同）、同一公司开票抬头信息、同一收货地址等均视为同一客户；
4、订单若产生换货、退货、退款而不符合单笔满赠条件的，官方有权扣除/追回奖励；
5、参与本次活动的客编若为企业用户，活动领取的京东卡/积分值奖励应如实计入企业财务账目；
6、圣禾堂在线拥有本次活动解释权，如有疑问可联系我司专属销售代表或咨询客服。

圣禾堂备货周6月15日-6月18日，每月第三周超值活动，下单累计实付享4~10倍积分，至高可赠2w元京东卡！

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<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/oxruratz.jpg" alt="【观点】内存现货价格更新：DDR5现货价格涨幅收窄，交易低迷；DDR4反弹" /><div style="padding: 28px 32px; background: #fefefe; border-radius: 4px; box-shadow: 0 1px 6px rgba(0,0,0,0.06);"> <div style="border-left: 5px solid #bf2722; padding: 18px 24px; margin-bottom: 26px; background: #fdfaf9; border-radius: 0 6px 6px 0;"> 根据TrendForce最新内存现货价格趋势报告，本周DRAM市场出现分化走势，DDR5产品涨势明显收敛，而部分DDR4颗粒价格则在前期回调后企稳反弹。整体现货交易动能不足，买卖双方观望情绪浓厚。 </div> <div style="border-left: 3px solid #bf2722; padding: 14px 22px; margin-bottom: 24px; background: #fefefe; border-radius: 0 4px 4px 0;"> 具体来看，DDR5颗粒虽仍有小幅上涨，但受制于终端需求放缓和渠道库存调整，现货交易量显著萎缩，涨幅较前几周明显收窄。与此同时，DDR4 2Gx8-3200和1Gx8-3200颗粒在经历短暂下跌后，本周价格出现反弹，部分模组厂和现货商回补库存的意愿有所回升，带动价格止跌回稳。其余DDR4规格产品则维持平盘或窄幅波动，市场交投相对平淡。 </div> <div style="border-left: 3px solid #bf2722; padding: 14px 22px; margin-bottom: 0; background: #fefefe; border-radius: 0 4px 4px 0;"> NAND闪存方面，现货市场持续承压。由于原厂产能利用率维持高位，供应端保持充裕，而消费类电子和PC需求复苏力度不及预期，导致存储卡及固态硬盘（SSD）成品库存消化缓慢。报告预计，在需求未有明显改善前，NAND闪存现货价格短期内仍将面临下行压力，整体格局偏向买方市场。 </div></div>

2026年5月27日TrendForce内存现货价格更新：DDR5涨势趋缓，DDR4价格反弹，NAND闪存市场仍承压。

内存现货价格更新：DDR5现货价格涨幅收窄，交易低迷；DDR4反弹

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/h9yjzo6j.jpg" alt="台积电传2026下半年拟上调3nm报价最高15%，受AI及ASIC需求带动2027年有望续涨5%-10%" /><div style="border-left: 4px solid #bf2722; padding: 24px 28px; background: #ffffff; font-family: 'Noto Serif SC', 'Times New Roman', serif; line-height: 1.9; color: #222;">生成式AI训练与推理需求居高不下，加上客户自研AI ASIC的投片量持续扩大，台积电先进制程产能利用率长时间处于满载状态。近日，《工商时报》引述业界消息指出，面对供不应求的态势，台积电规划于2026年下半年对3纳米制程启动新一轮价格调涨，涨幅预计落在10%至15%之间。此外，若需求动能维持强劲，2027年不排除进一步调升5%至10%。这并非台积电先进节点近期首次传出的涨价动作。去年以来，AI服务器处理器、高阶智能手机系统单芯片以及云端AI加速器等订单大量涌入，早已让3纳米生产线紧绷。消息人士透露，包含英伟达、AMD、博通，乃至云端服务供应商的自研芯片团队，均在排队争取更多3纳米产能。产能排挤效应下，部分非AI应用的客户已感受到交货周期拉长的压力。市场分析指出，台积电选择在2026下半年再调价，一方面反映先进制程研发与扩产成本依旧高昂，另一方面也试图通过价格机制引导客户向更成熟节点或先进封装方案分流。有IC设计业者私下表示，15%的价格上修直接冲击毛利率，但对大客户而言，保产能往往比控成本更优先，预期大型芯片商仍会优先锁定长期产能供应协议。随着3纳米家族逐渐成为先进运算的主流工艺节点，产业界正密切关注台积电是否会将涨价模式延伸至下一代2纳米制程。综合近期设备供应链动态，台积电2纳米预计于2025年底进入量产爬坡，届时晶圆代工报价的起点可能再创历史新高，进一步考验产业链的成本结构弹性。整体来看，在AI和HPC需求尚未看到降温迹象的背景下，台积电先进制程的议价主导地位短期内难以撼动。此次若成功实现15%幅度的3纳米涨价，不仅将直接贡献营收成长，也再度确立先进晶圆代工领域的卖方市场格局。</div>

据工商时报消息，因AI与ASIC需求持续强劲，台积电拟于2026下半年对3nm制程提价最高15%，2027年可能再涨5%-10%，先进产能紧张局势延续。

台积电传2026下半年拟上调3nm报价最高15%，受AI及ASIC需求带动2027年有望续涨5%-10%

<img style="width: 600px; height: auto; margin: 0 auto; display: block;" src="http://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/news/ehupkbmb.jpg" alt="中国据传收紧阿里、DeepSeek等民企AI顶尖人才出境规定" /><div style="padding: 24px 28px; line-height: 1.9; color: #2c2c2c; font-size: 16px; font-family: 'PingFang SC', 'Hiragino Sans GB', 'Microsoft YaHei', sans-serif; border-left: 3px solid #bf2722; background: #fefefe; border-radius: 2px;"> 中国对人工智能领域顶尖人才的出境管理出现新动向。彭博社援引多位知情人士消息称，监管部门近期加大了对私营科技公司高端AI人员海外行程的审核力度，涉及的知名企业包括阿里巴巴以及备受瞩目的AI初创公司DeepSeek。 具体措施上，这些企业内的骨干AI研究者及工程师在计划出国参加学术会议、项目合作或私人旅行前，需要先行向有关主管部门提交申请并获得明确许可。此前的常规备案流程已转为更严格的审批制，审核周期和条件均有所变严。 分析认为，此举意在防范关键技术外流，确保在前沿AI领域的竞争优势。随着全球人工智能竞赛日趋激烈，各国对核心研发人才的流动均持审慎态度。目前，阿里巴巴和DeepSeek尚未就此公开置评。 <div style="width: 48px; height: 2px; background: #bf2722; margin-top: 6px; opacity: 0.6;"></div></div>

中国有关部门据称正在限制阿里巴巴、DeepSeek等私营企业的顶尖AI人才出境，要求其出国前取得批准，以加强对关键技术的防护。

中国据传收紧阿里、DeepSeek等民企AI顶尖人才出境规定

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