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SK海力士推出iHBM集成冷却方案，HBM5热阻可降30%
SK海力士推出iHBM解决方案，通过直接在HBM封装中集成冷却元件（ICE），计划在HBM5世代实现30%热阻降低，应对高带宽内存散热挑战。
2026-05-27 09:15:02
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日本胶带企业Lintec瞄准EUV光罩保护膜，据报道拟投资70亿日元并于2026年投产
日本胶带企业Lintec宣布进军EUV光罩保护膜市场，计划投资70亿日元，目标2026年量产。该薄膜用于极紫外光刻工艺中保护光罩，是先进芯片制造的关键耗材。
2026-05-26 08:55:13
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韩荷半导体合作或将超越ASML：硅光子技术成关键机遇
韩国与荷兰的半导体合作进入新阶段，双方有望在硅光子学等光基芯片技术领域展开协作，超越传统光刻巨头ASML的合作范围，共同抢占下一代芯片技术先机。
2026-05-26 08:55:13
阅读数11
英特尔路线图泄露：2028年Titan Lake-B/BX或将集成NVIDIA GPU；Hammer Lake可能重启超线程技术
最新泄露的英特尔CPU路线图显示，2028年Titan Lake-B/BX平台或将集成NVIDIA图形核心，同时Hammer Lake架构可能让超线程技术回归，为未来计算平台带来重大变化。
2026-05-26 08:55:13
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华为发布全新半导体原理——陶（τ）定标律
2026年5月26日，华为在ISCAS 2026上正式发布陶（τ）定标律，提出在固定功耗下实现算力持续增长的新半导体性能原则，由海思总裁何庭波宣布，旨在突破摩尔定律限制，引领后摩尔时代芯片创新。
2026-05-26 08:55:13
阅读数20
三星被曝在西安开建V9 NAND洁净室，V8上量、V6退场同步推进
三星电子在西安启动V9 NAND洁净室建设，此前V8已启动量产，V6逐步淘汰，该公司正加快工艺迭代以强化存储竞争力。
2026-05-26 08:55:13
阅读数4
力积电联手英特尔与SAIMEMORY，展示9层一体融合键合通孔架构高带宽3D内存
力积电（PSMC）将加入英特尔与SAIMEMORY的ZAM合作，在VLSI Symposium 2026上展示9层一体融合键合通孔架构，实现高带宽3D内存，目标挑战HBM并满足AI计算需求。
2026-05-25 08:51:29
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中芯国际、华虹半导体传涨价，AI需求驱动产能转移；华虹预计2026年再调12英寸晶圆报价
随着AI需求持续攀升，中国晶圆代工厂商中芯国际与华虹半导体近期传出调涨价格。约八成上市半导体企业一季度营业成本同比增长，凸显晶圆采购成本压力。华虹半导体预期2026年12英寸晶圆将迎来更多涨价，产能结构性转移令成熟制程供应趋紧。
2026-05-25 08:51:29
阅读数26
华为借助新型封装技术推出122TB固态硬盘，突破100+层3D NAND获取限制
华为突破美国限制，借助自研多芯片封装技术，成功制造出122TB固态硬盘，无需依赖100+层3D NAND，为高密度存储开辟新路径。
2026-05-25 08:51:29
阅读数13
业界探讨将HBM与GPU分离以突破内存容量瓶颈，光学互连或成关键技术
面对AI大模型对内存容量与带宽的极限需求，业界正探讨将HBM从GPU基板上分离，利用光学互连技术构建大容量独立内存池。此举有望突破现有封装面积与信号完整性的物理限制，成为未来AI芯片架构的关键演进方向。
2026-05-25 08:51:29
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