三星SK海力士拟2028年将High-NA EUV用于DRAMASML推动High-NA EUV发展，三星、SK海力士计划2028年前后用于DRAM量产，提升HBM竞争力；美光招聘相关工程师，布局下一代DRAM。2026-09-10 09:41:084行业资讯
长鑫存储研发团队一年扩员超60%，规模达SK海力士78%长鑫存储研发人员一年内增至7491人，同比增60.9%，规模约为SK海力士的78%；人均薪酬上涨34%，全球DRAM份额升至9.5%居第四。2026-09-10 09:11:566行业资讯
IRF3710PBF国产替代本文针对英飞凌IRF3710PBF型号，对比国产矽普SP010N13GTQ的各项核心参数，梳理两款N沟道MOSFET的兼容情况与性能差异，为从业者选型国产替代方案提供实用参考。2026-09-10 08:51:506国产替代
铠侠否认与SK海力士联合生产，NAND涨价下优先稳价铠侠CEO否认与SK海力士洽谈联合生产，称深化合作面临反垄断障碍，闪迪与铠侠现有协议也限制第三方共产。铠侠优先稳定NAND价格，企业级SSD价格大涨，并接近以长期协议覆盖50%出货量。2026-09-10 08:42:547行业资讯
新锐MOSFET推出适配储能与逆变电源的系列应用方案针对储能行业快速发展下功率半导体器件的更高要求，新锐MOSFET推出覆盖低压大电流、650V高压平台的系列产品，适配BMS充放电保护、逆变变换场景，多封装可选，可提升整机运行效率与安全性。2026-09-10 08:40:024品牌动态
三星泰勒2纳米产能预订一空，特斯拉博通Arm下单三星首座泰勒晶圆厂尚未投产，2nm产能已被预订一空，客户包括特斯拉AI5/AI6芯片、博通通信芯片及Arm AI芯片。工厂最快9月底试运行，2027年量产，初期月产能5万片。泰勒二号厂筹备加快，计划2030年量产。2026-09-10 08:27:523行业资讯
B350A-13-F国产替代本文对比美台B350A-13-F与国产富芯森美SS36A两款肖特基二极管的电气参数、性能特点，说明国产SS36A兼容性强、散热表现更优，可实现B350A-13-F的可靠替代，为行业用户选型提供实用参考。2026-09-10 08:22:484国产替代
MBRA340T3G国产替代本次参数对比显示，富芯森美推出的MBRA340T3G器件，与安森美同型号产品的所有核心电气参数完全一致，可完美实现MBRA340T3G的国产替代，满足国产化替换需求。2026-09-10 08:07:474国产替代
新加坡国立大学开发原子级非晶碳绝缘薄膜，可突破芯片互连瓶颈新加坡国立大学团队开发出原子级厚度的非晶碳绝缘薄膜，厚度仅0.8纳米时仍维持低介电常数1.35，并兼具绝缘与阻挡铜离子迁移功能，有望解决芯片互连瓶颈。相关成果已发表于《自然·电子学》。2026-09-09 19:13:474行业资讯
半导体制造瓶颈催生AI分析需求，助力良率提升生成式AI热潮持续三年，半导体行业瓶颈转向制造产能。晶圆厂和设备商利用数据分析与AI挖掘产线潜力，提升良率与吞吐量。Spotfire通过AI辅助分析放大工程师能力，案例显示可缩短验证周期，AI并非取代人类，而是加速排查过程。2026-09-09 19:01:414行业资讯
