全部公告 - 圣禾堂在线 - 第89页

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三星被曝在西安开建V9 NAND洁净室，V8上量、V6退场同步推进
三星电子在西安启动V9 NAND洁净室建设，此前V8已启动量产，V6逐步淘汰，该公司正加快工艺迭代以强化存储竞争力。
2026-05-26 08:55:13
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行业资讯
力积电联手英特尔与SAIMEMORY，展示9层一体融合键合通孔架构高带宽3D内存
力积电（PSMC）将加入英特尔与SAIMEMORY的ZAM合作，在VLSI Symposium 2026上展示9层一体融合键合通孔架构，实现高带宽3D内存，目标挑战HBM并满足AI计算需求。
2026-05-25 08:51:29
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行业资讯
中芯国际、华虹半导体传涨价，AI需求驱动产能转移；华虹预计2026年再调12英寸晶圆报价
随着AI需求持续攀升，中国晶圆代工厂商中芯国际与华虹半导体近期传出调涨价格。约八成上市半导体企业一季度营业成本同比增长，凸显晶圆采购成本压力。华虹半导体预期2026年12英寸晶圆将迎来更多涨价，产能结构性转移令成熟制程供应趋紧。
2026-05-25 08:51:29
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行业资讯
华为借助新型封装技术推出122TB固态硬盘，突破100+层3D NAND获取限制
华为突破美国限制，借助自研多芯片封装技术，成功制造出122TB固态硬盘，无需依赖100+层3D NAND，为高密度存储开辟新路径。
2026-05-25 08:51:29
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行业资讯
业界探讨将HBM与GPU分离以突破内存容量瓶颈，光学互连或成关键技术
面对AI大模型对内存容量与带宽的极限需求，业界正探讨将HBM从GPU基板上分离，利用光学互连技术构建大容量独立内存池。此举有望突破现有封装面积与信号完整性的物理限制，成为未来AI芯片架构的关键演进方向。
2026-05-25 08:51:29
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行业资讯
美光展望转趋乐观，携手台积电2027年量产HBM4E，覆盖标准与定制逻辑芯片
美光科技在摩根大通年会上释放乐观信号，公布HBM4E路线图：携手台积电，2027年实现标准及定制逻辑芯片的大规模量产，进一步巩固其在AI存储市场的竞争力。
2026-05-25 08:51:29
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COMPUTEX临近：x86已在PC战场击败Arm了吗？
COMPUTEX 2026前夕，Windows on Arm与Copilot+ PC落地满两年，软件生态虽有进步，但x86仍以超九成市占主导。本文从应用兼容、终端出货与未来变局分析，探讨Arm在PC战场上是否还有翻盘机会。
2026-05-25 08:51:29
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英伟达财报聚焦：2026年CPU营收目标200亿美元、向华为让步中国市场和报告体系改革
英伟达最新财报不仅交出创纪录业绩并给出强势指引，更首次披露2026年CPU业务200亿美元营收目标，同时明确了在中国市场因应华为竞争和出口管制的策略调整，并启动财报结构重组。
2026-05-22 09:17:13
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DDR4缺货拖累南亚科技DDR5转型总经理：全品类DRAM毛利优于HBM
在三星等原厂淡出DDR4之际，南亚科技因DDR4供应缺口被迫放慢DDR5扩产脚步，总经理李佩瑛表示全系列DRAM毛利率都已优于HBM。
2026-05-22 09:17:13
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三星调整GaN功率半导体战略：转向代工服务，预计7月启动运营
三星电子据报调整GaN功率半导体战略，从器件销售转向代工服务，预计7月启动运营。该决策源于器件业务客户拓展遇阻，而代工需求持续走强。
2026-05-22 09:17:13
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