三星披露HBM5与zHBM细节 性能最高达HBM4E八倍三星在半导体展会披露新一代存储技术:HBM5性能达HBM4E两倍,热阻降低20%;zHBM性能达HBM4E八倍,预计2029年后推出;另有zNAND-O及CUBE战略。2026-09-02 11:38:12行业资讯
2025 IFA聚焦人形机器人,NEURA与NVIDIA展示物理AI新突破2025年柏林IFA展即将开幕,AI与消费电子深度融合,人形机器人成为焦点。NEURA Robotics展示认知机器人并宣布与高通合作;NVIDIA推出开放人形机器人参考平台及新一代边缘AI芯片,物理AI加速走向规模化应用。2026-09-02 11:16:54行业资讯
英特尔14A工艺缺陷密度改善超预期,2028年量产追赶台积电英特尔CFO称14A缺陷密度改善速度快于预期,为22nm以来最快;但良率仍待验证。14A引入三项新技术,计划2027下半年风险生产、2028年量产,与台积电A14时间接近,客户兴趣显著增加。2026-09-02 11:05:48行业资讯
韩国DRAM出口量降额升,AI内存供应趋紧价格大涨韩国DRAM出口量下降但出口额与单价大涨,反映内存供应趋紧。AI芯片用DRAM出口量降13.2%,均价涨36.6%。厂商依赖长期协议锁定产能,现货价高达LTA价4-5倍,预计服务器DRAM合约价继续上涨。2026-09-02 10:21:32行业资讯
PC817X2CSP9F国产替代本文对夏普PC817X2CSP9F与国产恒拓电子HT-817S1-CTP1-F两款光电耦合器的核心电气参数、规格等维度做了详细对比,梳理二者性能差异,为电子设计工程师提供客观详实的选型参考,方便开展国产替代评估。2026-09-02 10:18:57国产替代
英伟达认购联发科35亿美元可转债,合作开发定制AI加速器联发科宣布发行39亿美元可转换公司债,英伟达认购35亿美元,Alphabet也参与。双方将合作开发定制AI加速器,这是英伟达首次投资台湾上市公司。2026-09-02 10:02:28行业资讯
B370-13-F国产替代本次针对DIODES美台的B370-13-F器件,对比了国产富芯森美SS510C的全维度电气参数,二者封装完全兼容,国产替代款多项性能优于原装型号,可直接替代使用。2026-09-02 09:28:56国产替代
晶盛机电SiC衬底技术突破,12英寸送样验证并加速全球产能布局8月24日,晶盛机电披露三大业务进展:12英寸SiC晶体生长获关键突破,产品已送样验证;8英寸SiC衬底实现量产,槟城及银川基地推进年产90万片项目。同时,公司开发出8英寸多晶金刚石晶圆,12英寸外延设备已实现商业化。2026-09-02 09:12:59行业资讯
ASML高数值孔径EUV量产条件成熟 英特尔率先导入18ASEMICON Taiwan 2026上,ASML称High-NA EUV量产条件成熟。英特尔率先用于18A工艺Panther Lake芯片。系统累计曝光超135万片,目标吞吐量超210WPH,支持DRAM。2026-09-02 08:53:55行业资讯
NTCG103JF103FT1国产替代本次针对TDK旗下NTCG103JF103FT1 0402贴片NTC热敏电阻,与国产同规格替代型号展开全维度参数、性能评测,验证二者参数高度吻合,可直接兼容替换,适配各类工业电子温度检测场景。2026-09-02 08:42:55国产替代