瑞银预测中国浸没式DUV光刻机2至5年内量产,EUV十年仍难瑞银预测,中国有望2至5年内实现浸没式DUV光刻机高产量生产,但十年内研发出EUV可能性不大。目前光刻技术约相当于阿斯麦2004年水平,中国正加速半导体自主,国产设备需求持续上升。2026-09-03 11:21:00行业资讯
SK海力士eSSD在华涨价限制或将解除,盈利迎转机SK海力士在中国销售的eSSD涨价限制五年合规期将于2026年12月到期,若解除,公司将能灵活调整定价改善盈利。长江存储等本土厂商崛起或促使市监总局放宽限制。2026-09-03 10:39:50行业资讯
卓胜微电子拓展光互连市场 硅光工艺进入最终认证阶段卓胜微电子战略拓展光互连市场,光芯片与电芯片并行推进,硅光工艺已进入最终认证阶段。公司依托SOI/SiGe特色工艺和Fab-Lite模式,将射频能力延伸至光通信,并推进BCD电源管理布局AI数据中心。目前12英寸SOI月产能约9000片。2026-09-03 10:03:04行业资讯
SK海力士考虑日本建存储芯片工厂,或面临韩国政府审批阻碍SK海力士正考虑在日本投资建设存储芯片工厂,日本多地积极争取,但韩国将半导体列为国家战略产业,海外先进产能需政府审批。此外,公司已在美国印第安纳州建设HBM封装设施,日韩产业界关注相关进展。2026-09-03 09:26:18行业资讯
PMEG4010EGWX国产替代本次针对安世半导体PMEG4010EGWX与国产杰盛微B5819W两款二极管展开全参数对比,二者封装兼容,核心性能指标接近,为工程师提供可靠的国产替代选型参考。2026-09-03 09:24:42国产替代
台积电:AI系统功耗五年增约6倍 散热转向液冷微通道台积电在SEMICON Taiwan 2026指出,AI系统总功耗五年或增长约6倍,供电与热管理成瓶颈;CoWoS封装功耗将从600W升至4100W。散热正从风冷转向液冷,台积电还将探索微通道冷却以优化先进封装热性能。2026-09-03 08:48:15行业资讯
LL4148国产替代针对国内终端产业对安森美LL4148高速开关二极管的国产化替代需求,永裕泰推出同MiniMELF封装的兼容型号,核心参数高度对齐,部分脉冲性能更优,可直接适配原有应用场景。2026-09-03 08:38:41国产替代
SMAJ24A国产替代本次对比了美国力特SMAJ24A和国产瑞隆源同型号TVS管的各项核心参数,二者多数性能指标一致,封装规格完全匹配,可作为SMAJ24A国产替代的实用选型参考。2026-09-03 08:18:40国产替代