<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;双向可控硅为三端双向可控硅开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 （第二端子或第二阳极），T 2（第一端子或第一阳极）和G（控制极）亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通。</p>
<p><span style="font-size: 14pt;"><strong>双向可控硅的特性及用途</strong></span></p>
<p>　　1. 双向可控硅替的主要优点体现在：</p>
<p>　　（1） 大功率双向可控硅为无触点式开关，无火花、寿命长、体积小、无噪音；</p>
<p>　　（2）接触器工作时，其控制回路需要消耗一定的电能，而可控硅为弱电控制，控制回路耗电微乎其微；</p>
<p>　　（3）接触器控制<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E8%B7%AF">电路</a>中，操作者接触的器件电压都较高，不安全，而大功率双向可控硅控制电路中操作者只接触5~15V的直流低压电源，非常安全；</p>
<p>　　（4） 大功率双向可控硅为弱电控制强电，弱电电路更新方便，较容易设计出满足各种要求的控制电路。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-14/7e37b71232de4bfe8d4e35182a0ee2bd-bWNldV8yNTc3NDE3OTMyMTY0NDgyNDk0MjQzOS5qcGc.jpg" width="417" height="277" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>　　2. 双向可控硅替在电路中的主要用途</p>
<p>　　双向可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。而只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出（波形图上阴影部分）。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL（阴影部分的面积大小）。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180&deg;，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角&alpha;；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角&theta;。很明显，&alpha;和&theta;都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角&alpha;或导通角&theta;，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。</p>

双向可控硅为三端双向可控硅开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅

双向可控硅的特性及用途

<p><strong><span style="font-size: 14pt;">&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;可控硅坏的原因有哪些</span></strong></p>
<p>　　1、电压击穿</p>
<p>　　可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E8%B7%AF">电路</a>断开时产生的高电压击穿。</p>
<p>　　2、电流损坏</p>
<p>　　电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。</p>
<p>　　3、电流上升率损坏</p>
<p>　　其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。</p>
<p>　　4、边缘损坏</p>
<p>　　他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-14/b1875bbd39fb423395d978133c14eb30-bWNldV8zMTcwNDc5NjExMTY0NDgyNDA2MzQzOS5qcGc.jpg" width="432" height="287" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong>　　<span style="font-size: 14pt;">如何保护可控硅不被损坏</span></strong></p>
<p>　　1、过电压保护</p>
<p>　　晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。</p>
<p>　　过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管是很危险的。</p>
<p>　　2、过电流保护</p>
<p>　　由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制，否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时，热量来不及散发，使得结温迅速升高，最终将导致结层被烧坏。</p>
<p>　　产生过电流的原因是多种多样的，例如，变流装置本身晶闸管损坏，触发电路发生故障，控制系统发生故障等，以及交流电源电压过高、过低或缺相，负载过载或短路，相邻设备故障影响等。</p>
<p>　　晶闸管过电流保护方法最常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢，在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏；所以不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内，熔断时间极短，可以用来保护晶闸管。</p>

可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。

可控硅坏的原因

<p><strong><span style="font-size: 14pt;">&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;双向可控硅如何测量好坏</span></strong></p>
<p>　　用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。</p>
<p>　　用万用表测量的方法如下：</p>
<p>　　1、T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E9%98%BB">电阻</a>，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。</p>
<p>　　2、T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。</p>
<p>　　3、将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。</p>
<p>　　如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>　　<span style="font-size: 14pt;"><strong>双向可控硅使用条件</strong></span></p>
<p>　　（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用。</p>
<p>　　（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。</p>
<p>　　（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。</p>
<p>　　一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。</p>

用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。

用万用表测量双向可控硅

<p><span style="font-size: 12pt;">&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅</span></p>
<p><span style="font-size: 12pt;">有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1</span></p>
<p><span style="font-size: 12pt;">和第3象限有对称的伏安特性。</span></p>
<p>&nbsp;</p>
<p><span style="font-size: 12pt;"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-14/462831c4d05a4494866c1a6ff30b46c5-bWNldV8xMzE5MjcwMzUxMTY0NDgyMTA0MDQzOS5qcGc.jpg" width="432" height="278" /></span></p>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong><span style="font-size: 14pt;">双向可控硅构造原理</span></strong></p>
<p>　　尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率</p>
<p>集成器件。小功率双向可控硅一般采用塑料封装，有的还带散热板。典型产品有BCMlAM（1A/600V）、</p>
<p>BCM3AM（3A/600V）、2N6075（4A/600V），MAC218-10（8A/800V）等。大功率双向可控硅大多采用RD91型</p>
<p>封装。</p>
<p>　　双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的</p>
<p>两个电极统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均</p>
<p>为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向可</p>
<p>控硅由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。</p>

 双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同

双向可控硅构造原理

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第</p>
<p>一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电</p>
<p>压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A</p>
<p>与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电</p>
<p>压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过</p>
<p>零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重</p>
<p>新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态</p>
<p>相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电</p>
<p>压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状</p>
<p>态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%8E%8B">电压</a>，也能继续保持导通状态。只有当</p>
<p>第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控</p>
<p>硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1&Omega;挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数</p>
<p>为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑</p>
<p>表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此</p>
<p>时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针</p>
<p>发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1&Omega;挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中</p>
<p>两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即</p>
<p>为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所</p>
<p>接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极</p>
<p>A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电</p>
<p>压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔</p>
<p>接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线</p>
<p>将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极</p>
<p>间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极</p>
<p>性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。 晶闸管</p>
<p>(可控硅)的管脚判别&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两</p>
<p>脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚</p>
<p>接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极</p>

可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚

可控硅的特性与检测

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<section data-role="title" data-tools="135编辑器" data-id="105724">
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<section>
<section>
<section data-brushtype="text">
<p><span style="font-size: 14pt;"><strong>Microchip发布涨价函：将于3月1日开始涨价</strong></span></p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
<p>&nbsp;</p>
<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-11/1f5c080e2cdb4ff1b65de3332340f66c-bWNldV82MTI4NTQ5NzgxMTY0NDU3MzM0ODU0Ni5qcGc.jpg" width="487" height="300" /></section>
<p>&nbsp;</p>
<p>2月11日，<strong>供应链人士爆料，Microchip向代理商发布了最新涨价文件。文件显示，Microchip将于3月1日涨价，并通知代理商告知下游客户。</strong></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>文件显示，大多数Microchip业务部门的产品都会受到价格调整的影响，<strong>具体涨价幅度因产品和客户有所不同</strong>，后续会向代理商提供具体的涨价信息。Microchip表示，新订单、库存和积压订单都将根据涨价后的价格交易，自3月1日起生效。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Microchip称，新冠疫情对半导体产业产生了巨大的负面影响，整个全球半导体供应链都在面临着前所未有的挑战。从半导体材料到晶圆厂、组装和测试，每个产业链环节都面临着巨大的需求。Microchip和供应商为了能满足下游客户的巨大需求，都在持续的努力提高产能。随着Microchip成本的增加，公司不得不将部分成本传递到客户身上，采取涨价措施。</p>
</section>
<section></section>
</section>
</section>
</section>
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<section data-role="title" data-tools="135编辑器" data-id="105724">
<section>
<section>
<section></section>
<section data-brushtype="text">
<p><span style="font-size: 14pt;"><strong>PCB大厂突现14例确诊，厂区已停工</strong></span></p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-11/21d1db3f78ad4730ad79e6c5d13229c2-bWNldV83Mjk4MTA2NzcyMTY0NDU3MzM2OTg0OC5qcGc.jpg" width="498" height="332" /></p>
</section>
<p>&nbsp;</p>
<p>据台湾《经济日报》消息，<strong>PCB大厂嘉联益（6153）员工染疫再扩大，为阻绝疫情，嘉联益10日公告，树林厂已暂时停工，并已停止人员进厂。</strong></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>据悉，嘉联益因有一名移工出现症状就医采检确诊COVID-19，厂方针对厂区及同宿舍员工扩大采检1762人，初步采检出14例阳性个案。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>嘉联益表示，树林厂9日下午起即配合新北市卫生局扩大采检进行全厂员工PCR检测，并再次进行全面消毒，采检确诊人员及密切接触者匡列人员也依新北市卫生局通知进行集中隔离，搭乘防疫巴士前往集中隔离所。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>针对员工染疫可能为公司营运带来的影响，嘉联益表示，已由其他厂区生产线支援，此事件对集团整体营收影响有限。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>据悉，<strong>嘉联益科技股份有限公司是一家主要从事设计、研究、开发、制造、加工及买卖软性电路板（FPC）业务的台湾公司。该公司的主要产品包括印刷电路板、穿戴式电子装置、散热模组等。其产品主要用于行动电话、平板电脑、触控面板、电子书、平面显示器、数位相机、汽车产业和虚拟实境（VR）等。该公司在海内外市场分销其产品。</strong></p>
<section></section>
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<section>
<section>
<section></section>
<section data-brushtype="text">
<p><span style="font-size: 14pt;"><strong>AMD宣布获得有关收购赛灵思的所有必要批准</strong></span></p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-11/de63092b75d544ddafe08e64493a7013-bWNldV8zMTM3MzkwNjEzMTY0NDU3MzM5NDEwNS5qcGc.jpg" width="502" height="282" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>2月11日，<strong>AMD公司宣布已获得了有关收购赛灵思的所有必要批准，包括所有必要的政府许可，这笔交易预计将在2月14日左右完成</strong>。1月27日，国家市场监管总局反垄断局发布公告，称通过审查，决定附加限制性条件批准此案。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>2020年10月27日，AMD宣布斥资350亿美元收购赛灵思。根据两家公司达成的收购条件，每股赛灵思普通股将获得1.7234股AMD普通股，按当时AMD的股票价格，他们收购赛灵思的出价为每股143美元。AMD首席执行官苏姿丰博士曾表示，对赛灵思的收购标志着AMD将确立为业界高性能计算的领导者。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>合并后，AMD 将拥有赛灵思74%的股份，赛灵思股东持有余下26%。AMD CEO苏姿丰将继续担任公司的CEO，赛灵思总裁兼CEO Victor Peng将加入AMD，出任总裁，负责赛灵思的业务和战略增长规划。</p>
<section></section>

2月11日，供应链人士爆料，Microchip向代理商发布了最新涨价文件。文件显示，Microchip将于3月1日涨价，并通知代理商告知下游客户。

Microchip发布涨价函：将于3月1日开始涨价

<p>1、高电平最小输入<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%8E%8B">电压</a>:是为保证输入为高电平所允许的最小输入电压， TTL 电路为2V , CMOS 电路为电源电压的60% 。</p>
<p>2 、低电平最大输入电压:是为保证输入为低电平所允许的最高输入电压， TTL 电路为0.8V , CMOS 电路为电师、电压的40% 。</p>
<p>3 、高电平输入电流:当符合规定的高电平电压送入某一输入端时，流入该输入端的电流。TTL 电路为0.04 mA， CMOS 电路为0.1&mu;A 。</p>
<p>4 、低电平输入电流:当符合规定的低电平电压送入某一输入端时流入该输入端的电流。<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=TTL">TTL</a> 电路为1. 6 mA， CMOS 电路为0.1mA。</p>
<p>5 、最高输入电压:允许接到输入端的最高电压。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-06-10%2Fd93e4089b69d420c8d3987d7780dbed0-bWNldV83MTU4MjQzNDkxODE2MjMzMTY5NDE5MzIucG5n.png" width="377" height="261" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>6 、低电平最高输出电压:输出仍可规定为低电平的最高电压(即输出低电平上限)0 TTL电路为0.4V ， CMOS 电路为电源高端电压。</p>
<p>7 、高电平最低输出电压:输出仍可规定为高电平的最低电压(即输出高电平下限)。TTL电路为2 .4 V ， CMOS 电路为电源高端电压。</p>
<p>8 、最大低电平输出电流:输出为低电平时，输出端所能提供(吸入)的最大电流。</p>
<p>9、 最大高电平输出电流:输出为高电平时，输出端所能提供的最大<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%B5%81">电流</a>。</p>
<p>10 、输出负载能力(扇出):输出端的最大输出电流与被选作参考负载的某一专门集成电路的输入电流之比(也就是输出端能驱动的参考负载的数目)。</p>
<p>11 、工作电源电压: TTL 电路为5V ，常用CMOS 电路的工作电源电压范围为3 - 18V 。</p>
<p>12 、最大功耗:在额定工作电源电压、最坏工作温度和50% 工作周期的情况下，器件所消耗的最大功率。在多个门单元组成的电路中，功耗常由每个门来确定。</p>

高电平最小输入电压:是为保证输入为高电平所允许的最小输入电压， TTL 电路为2V , CMOS 电路为电源电压的60%

数字集成电路的一般直流参数

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;陶瓷气体放电管是防雷保护设备中应用最广泛的一种开关器件，串联于线路中，可用在交直流<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%BA%90">电源</a>、各种</p>
<p>信号电路的防雷，都可以用它来将雷电流泄放入大地。它是把一对放电间隙封装在充以放电介质（惰性气体)的</p>
<p>陶瓷管中构成的。按电极数分，有二极放电管和三极放电管（相当于两个二极放电管串联）两种。其外形为圆</p>
<p>柱形,有带引线和不带引线两种结构形式（有的还带有过热时短路的保护卡）。</p>
<p><strong>原理</strong></p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;陶瓷气体放电管的基本原理就是气体放电。常用的放电管脉冲击穿电压在几百伏到一千多伏，放电管原先</p>
<p>处于断路状态，电阻很大，电容很小。一旦脉冲过压达到放电管的脉冲击穿电压，极间的电场强度超过气体的</p>
<p>击穿强度时，就引起间隙放电，管内气体电离，放电管导通，由原来的断路状态变为近似短路。这时放电管导</p>
<p>通电阻很小，可以通过很大的冲击<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%B5%81">电流</a>从而将浪涌电流泄放到地，使与放电管联接的其它器件和电路避免受到</p>
<p>浪涌冲击而损坏。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-06-07%2Fe3b6712b9c3044bbb8ca470f94b59a2e-bWNldV84Nzc5NDY5ODkxNjIzMDUyMDA3NDcxLmpwZw%3D%3D.jpg" width="334" height="334" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong>应用</strong></p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;用于电源防雷器共模电路中将雷电流泄放入地，也可用在差模电路中与压敏<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E9%98%BB">电阻</a>串联而阻断其漏电流。在</p>
<p>信号防雷器中常用于第一级泄放浪涌电流，由于其反应速度慢，还要用第二级作限压保护。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;陶瓷气体放电管属于开关组件，导通时两端电压很低，不能直接用在有源电路中作差模保护。必须用时，</p>
<p>应串联限流组件，以防导通时形成过大的电流而损坏，甚至引起火灾；浪涌过后能恢复至断路状态。</p>

陶瓷气体放电管是防雷保护设备中应用最广泛的一种开关器件，串联于线路中，可用在交直流电源、各种信号电路的防雷，都可以用它来将雷电流泄放入大地。

什么是陶瓷气体放电管？它的原理是什么？

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;1、按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导</p>
<p>可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;2、按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E5%8F%AF%E6%8E%A7%E7%A1%85">可控硅</a>、三极可控硅和四极可控硅。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;3、按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。</p>
<p>其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两</p>
<p>种。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;4、按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大</p>
<p>功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;5、按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。</p>

按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导  可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

可控硅的多种分类方法

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<p><strong>NAND Flash恐上涨5~10%！产线被污染，西数与恺侠工厂停工</strong></p>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-10/17973084602549af8638e2da50be8ce4-bWNldV84MzI0Nzg1OTYzMTY0NDQ4NDkwMTIwNy5qcGc.jpg" width="490" height="287" /></section>
<p>&nbsp;</p>
<p>今日媒体消息表示，<strong>由于闪存原料遭到污染,导致日本两座存储器厂产能出现问题。</strong>而3D NAND闪存的周期时间长,此次芯片原料污染导致的芯片生产中断或将在生产重启后的几个月内产生影响。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>2月10日，铠侠发布公告称，由于生产过程中使用的原材料受到了污染，自2022年1月下旬以来，位于日本四日市和北上市的工厂生产业务受到了影响！</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>铠侠强调，目前公司正努力采取各种措施弥补，争取早日恢复正常生产，这意味着生产已经停止；铠侠同时表示，会尽最大努力减少对客户的影响，传统2D NAND闪存的发货不会受到影响。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>此外，西部数据的一份声明中也称，西部数据及其生产合作伙伴铠侠其闪存芯片生产材料受到污染导致生产中断，其中位于日本的四日市和北上市工厂都受到了污染。<strong>西部数据还表示，该问题将使其产量&ldquo;至少&rdquo;减少6.5艾字节产量。(1EB=1024PB= 1024*1024TB，如果以一片NAND容量512GB计算，影响数量超过200万片)</strong></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>暂时还不清楚，此次事件是否有涉及已经出货的产品，因为最终很可能会召回产品。虽然双方都没有详细说明事件的细节，但鉴于此事的严重性，对市场上SSD的供应影响可能会很快显现。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>闪存芯片是很多电子设备的重要组成部分，小到手机大到汽车、超级计算机都要运用到这种芯片。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>台媒报道，以上两家公司都是群联的主要供应商，虽然群联发声明表示，与铠侠及其他NAND 原厂均有签长约，供货未受影响，但在全球半导体短缺持续的局面下，<strong>将可能使第二季NAND Flash价格转为翻涨5~10%。</strong></p>
<p>&nbsp;</p>
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<p><strong>五年产能已排满！半导体供需或持续紧张</strong></p>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-10/162d2baad5b44c289e3b0d77b168bfde-bWNldV81MzEyNjU5Mzg0MTY0NDQ4NDkzMzE4My5qcGc.jpg" width="499" height="331" /></section>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong>全球技术领先的半导体硅片企业日本Sumco Corp.表示，该公司到2026年的产能已经售罄，这表明该行业的短缺状况可能在未来几年都不会减弱。</strong></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Sumco Corp.在周三公布财报后表示，目前公司接到的订单已经覆盖公司未来五年的300毫米（12英寸）硅片全部产能。至于150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）的硅片，公司没有接受这么长期的订单，但未来几年需求可能会持续超过供应。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>该公司是全球领先硅片供应商。据Siltronic统计，2020年全球前五大硅片制造商为日本信越、SUMCO、环球晶圆、SK Siltron和世创，他们共同占据着半导体硅片市场87%的份额。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>2021年硅片的价格比前一年上涨了10%，Sumco预计这种上涨至少会持续到2024年。该公司表示，尽管客户迫切需要长期供应，但今年根本无法扩大生产。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>此外，半导体行业其他企业也同样预计晶圆供需不平衡情况将持续很长时间。比如，英特尔首席执行官Pat Gelsinger近期表示，预计晶圆供应至少到2023年末都将保持紧张，2025-2030年供应形势才会有所好转。台湾晶圆供应商环球晶圆最近的收购项目遇阻也可能令硅片供需紧张局面持续更久准。</p>
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<p><strong>ASML：正在采取法律行动！中国公司销售疑似侵害其专利产品</strong></p>
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<p>&nbsp;</p>
<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2022-02-10/0564707f90124e7cb55962a49e7cab8e-bWNldV83NDg2MjM2NTU2MTY0NDQ4NDk3NTE5Mi5qcGc.jpg" width="429" height="457" /></section>
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<p>据彭博社2月9日消息，<strong>荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）在2月9日发布的最新年度报告中提到：&ldquo;2021年初，我们根据有关报道了解到，XTAL的关联公司东方晶源微电子，正在中国积极销售可能侵犯ASML知识产权的产品。&rdquo;</strong></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>报道称，ASML已经要求部分客户暂停与XTAL中国公司东方晶源微电子的业务往来。ASML表示，正在&ldquo;密切关注这一情况，并准备在适当的时候采取法律行动&rdquo;。</p>
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<p>2019年5月4日，ASML发表声明指出，加州圣克拉拉市法院判决XTAL窃取ASML商业机密一案，ASML获得胜诉。加州高等法院判给ASML 8.45亿美元（约合57.4亿人民币）赔偿及临时禁制令，并接手已破产的XTAL的大部分知识产权。</p>

今日媒体消息表示，由于闪存原料遭到污染,导致日本两座存储器厂产能出现问题。而3D NAND闪存的周期时间长,此次芯片原料污染导致的芯片生产中断或将在生产重启后的几个月内产生影响。

NAND Flash恐上涨5~10%！产线被污染，2座工厂停工

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