电子元器件行业资讯 - 原厂动态 - 圣禾堂在线 - 第78页

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华为、小米被曝计划自研HBM风格LLW DRAM，2027下半年发力手机端侧AI
华为和小米计划在2027年下半年推出定制的低延迟宽I/O DRAM（LLW DRAM），灵感来自HBM架构，旨在突破手机端侧AI的内存带宽与延迟瓶颈。
2026-06-17 08:42:03
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行业资讯
AMD 收购 MEXT，欲借“让 NAND 扮演 DRAM”的技术化解 AI 内存瓶颈
AMD 收购 MEXT，其内存分层技术让 NAND 闪存如同 DRAM 般直接寻址，打破数据中心 AI 工作负载的内存瓶颈，降低对高成本 DRAM 的依赖，提升容量与能效。
2026-06-17 08:42:03
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行业资讯
尼康开发光辅助图形化技术简化玻璃基板电镀，样品可应要求提供
尼康推出光辅助图形化技术，利用光响应表面处理剂简化玻璃基板电镀工艺，无需传统溅镀或刻蚀，适用于先进半导体封装，样品现已开放申请。
2026-06-17 08:42:03
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行业资讯
台积电CoPoS试验线启动双轨评估，全球与本土供应商竞争升温
台积电董事长魏哲家宣布CoPoS试验线已就绪，预计2-3年内量产，推动面板级封装进程，引发全球及本土设备材料供应商激烈竞争。
2026-06-17 08:42:03
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行业资讯
三星计划2027年将MPW服务扩展至2纳米，并公布跨节点18次流片方案
三星晶圆代工执行董事宋泰正表示，公司多项目晶圆（MPW）服务将于2027年扩展至2纳米节点，并同步公开了覆盖4nm至14nm节点的18次年度流片计划，以降低客户研发成本，加速争夺先进制程订单。
2026-06-17 08:42:03
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行业资讯
英飞凌被判侵犯英诺赛科氮化镓专利，中国最高法维持销售禁令
中国最高人民法院终审维持对英飞凌部分氮化镓产品的销售禁令，确认英飞凌侵犯英诺赛科专利权，两家公司专利纠纷在中国尘埃落定。
2026-06-16 08:46:34
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法拉利与惠普联合推出限量联名AI PC，全球仅4999台
法拉利与惠普宣布联手推出限量版AI PC，全球限量4999台，融合法拉利设计理念与惠普精密工程，每台拥有独立编号。
2026-06-16 08:46:34
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英伟达、谷歌率先导入800V高压直流架构，三季度出货有望带动基础设施供应链
AI数据中心功耗飙升促使800V高压直流（HVDC）架构加速商用。英伟达Vera Rubin平台及谷歌新一代AI数据中心率先导入，预计2026年第三季开始出货，台达等基础设施供应商将直接受益。
2026-06-16 08:46:34
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台积电CoWoS供需缺口预计至2026年底从20%缩窄至10%
台积电与封测伙伴加速扩充CoWoS产能，供给缺口预计至2026年底将缩小至10%，有助缓解AI芯片交期紧张局面，整体供应链朝向平衡方向迈进。
2026-06-16 08:46:34
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SK海力士传提前HBM4E送样时程，瞄准6至7月向关键客户出货
SK海力士将HBM4E样品时程提前至2026年6至7月，直接回应三星在HBM领域的加速布局，进一步加剧AI存储器市场竞争。
2026-06-16 08:46:34
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