晶盛机电SiC衬底技术突破，12英寸送样验证并加速全球产能布局8月24日，晶盛机电披露三大业务进展：12英寸SiC晶体生长获关键突破，产品已送样验证；8英寸SiC衬底实现量产，槟城及银川基地推进年产90万片项目。同时，公司开发出8英寸多晶金刚石晶圆，12英寸外延设备已实现商业化。2026-09-02 09:12:5910行业资讯
ASML高数值孔径EUV量产条件成熟 英特尔率先导入18ASEMICON Taiwan 2026上，ASML称High-NA EUV量产条件成熟。英特尔率先用于18A工艺Panther Lake芯片。系统累计曝光超135万片，目标吞吐量超210WPH，支持DRAM。2026-09-02 08:53:5510行业资讯
NTCG103JF103FT1国产替代本次针对TDK旗下NTCG103JF103FT1 0402贴片NTC热敏电阻，与国产同规格替代型号展开全维度参数、性能评测，验证二者参数高度吻合，可直接兼容替换，适配各类工业电子温度检测场景。2026-09-02 08:42:558国产替代
联发科延揽台积电老将Shang Hou，强化先进封装与硅光子布局联发科延揽台积电先进封装老将Shang Hou出任先进封装副总裁，并已吸纳Douglas Yu等多位专家，强化AI ASIC及硅光子布局。公司采用CoWoS与EMIB-T多元封装，CPO开发推进中，448G SerDes预计2027年下半年完成。2026-09-02 08:34:306行业资讯
突破玻尔兹曼极限 港理工研发二维材料新型隧穿晶体管香港理工大学联合多所高校利用二维纳米材料研发出新型隧穿场效应晶体管，突破60 mV/decade的玻尔兹曼极限，在室温下实现超低功耗与高输出电流，为高能效计算和下一代AI芯片提供基础构建模块，成果发表于《科学》。2026-09-01 11:38:5813行业资讯
SK海力士美国AI内存工厂奠基 将于2029年量产HBM4ESK海力士美国印第安纳州AI内存工厂奠基，投资超40亿美元，计划2029年量产HBM4E，并与普渡大学合作研发先进封装。CEO预计内存短缺持续至2030年底。2026-09-01 11:10:4611行业资讯
英飞凌抗辐射半导体助力美国宇航局罗曼望远镜发射英飞凌抗辐射半导体已搭载于NASA罗曼太空望远镜，为其电源系统提供支持。望远镜已发射升空，将在距地球150万公里的L2点运行十年，执行高数据率科学观测任务。2026-09-01 10:49:389行业资讯
NVIDIA财报营收翻倍碾压AMD，AI芯片差距再拉大NVIDIA发布2026年5-7月季度财报，营收约15万亿日元，同比翻倍，毛利率高达75%，AI市场增长无减速迹象，下财年预计再增70%。AMD营收创纪录同比增长50%，但差距拉大，正以系统级加速器和EPYC服务器CPU稳步追赶，力争成为唯一可抗衡NVIDIA的替代方案。2026-09-01 10:32:3012行业资讯
台积电加速硅光子与CPO布局，AI算力需求五年增五倍台积电在SEMICON Taiwan 2026上表示，AI计算需求每年增五倍，将先进工艺、3DFabric与硅光子集成至HPC平台，预计2029年系统性能达2024年50倍。硅光子预计2027年占光收发器市场超50%，CPO有望2026年下半年量产。2026-09-01 09:43:1612行业资讯
SK海力士拟将HBM4E基底芯片交由英特尔代工以缓解成本压力据报道，SK海力士考虑从HBM4E开始将部分基底芯片交由英特尔代工，以缓解台积电高昂成本压力，并提升供应稳定性。基底芯片正成为HBM领域竞争新焦点，三星、美光等厂商动向亦受关注。2026-09-01 09:12:1111行业资讯
